Essai d’interprétation de l’énergie d’activation expérimentale dans les réactions solide-gaz

Dans la seconde partie de cette étude, le calcul de la vitesse globale de croissance d’une couche protectrice avait été ramené à la résolution d’un système de 4 équations pour un composé semi-conducteur par cations interstitiels ou par lacunes cationiques et à celle d’un système de 2 équations dans les 2 autres cas limites de désordre.On tire maintenant de ces équations les expressions théoriques de la vitesse globale en fonction des variables intensives, pression et température selon le groupe d’étapes déterminant ou l’étape déterminante et dans les différents cas de symétrie de l’échantillon métallique initial.On établit la parenté des lois trouvées avec celles qui expriment la concentration des défauts à l’équilibre en fonction de la pression, à température constante ou en fonction de la température, à pression constante, dans les systèmes formés par le composé semi-conducteur et le constituant gazeux.On montre en particulier que l’énergie d’activation mesurée pour la réaction globale lorsque la diffusion est déterminante est égale à la somme de l’enthalpie d’activation de saut et à l’enthalpie de création des défauts diffusants