Caracterización óptica y morfológica de películas delgadas de TiFe2O4 crecidas mediante la técnica PLD

En el presente trabajo mediante la técnica de depósito por láser pulsado (PLD) se crecieron dos grupos de películas de T iF e2O4 sobre sustratos de n − Si, SrT iO3 y LaAlO3 a una temperatura de 500 oC, con dos láseres de longitud de onda 1064 nm y 532 nm. Estas películas fueron caracterizadas mediante las técnicas de espectroscopia ultravioleta visible (Uv-Vis), microscopía electrónica de barrido (SEM) y energía dispersiva de rayos X (EDX). Los resultados obtenidos por Uv-Vis presentan que la película sobre el sustrato de n-Si crecida con el láser de 532 nm muestra una disminución en el band gap respecto al valor experimental de referencia (2,1 eV). Además, se determinación la resonancia del plasmón de superficie localizado (LSPR)correspondiente al T iF e2O4 empleando la espectroscopia derivada del espectro de reflectancia..