應變矽鍺碳(Si/sub 1-x-y/Ge/sub x/C/sub y/)合金與奈米元件之輸運理論研究(I)

我們計畫對（1）應變碳矽鍺(Si1-x-yGexCy)合金系統與（2）奈米─p 型場效金氧電晶體(p-MOSFETs)之傳輸性質進行理論研究。「應變碳矽鍺(Si1-x-yGexCy)合金系統」部分係延續我們民國92 年的國科會研究計畫「應變矽碳(Si1-xCx)與應變矽鍺碳(Si1-x-yGexCy)合金之理論、實驗及其在奈米元件應用之研究(NSC 92-2112-M005-010)」。研究重點在於探討由應變引發之能帶曲率變化所造成載子輸運性質之增進。於應變碳矽合金中摻鍺元素將可微調原合金中之應力，從而得到最佳化之輸運性質。研究所得之輸運性質如遷移率、飄移速度、態密度、載子有效質量等將應用於由國科會補助購買之ISE 模擬軟體以模擬應變碳矽鍺元件之傳輸性質。奈米─p 型場效金氧電晶體(p-MOSFETs)部分我們將嘗試建構一量子輸運理論以模擬奈米元件的傳輸行為。散射矩陣法將運用於元件在準平衡態的部分而非平衡格林函數方法將應用在元件非平衡態的部分