Study on the Fabrication and Characteristics of Heterojunction c-Si Solar Cell with Pyramid Textured Structure

在本篇論文中，主要研究非晶矽/單晶矽組合而成的異質接面太陽能電池的轉換效率變化；我們改變矽晶圓表面的結構(pyramid distributed)，探討結構的變化與反射率的關係。在n型矽晶圓上沉積p型氫化非晶矽薄膜，並且針對p型非晶矽薄膜作變化，製作成異質接面太陽能電池，經由I-V量測後的電性參數作討論與分析。 首先，利用氫氧化鉀(KOH)於矽晶圓表面產生非等向性蝕刻，由於晶相(100)和(111)面蝕刻速率不同的關係，產生金字塔結構。反應中矽晶圓表面會釋放出氫氣，通常會於溶液中加入異丙醇來降低氣泡所帶來的影響。實驗中利用氫氧化鉀與異丙醇混合液，搭配不同濃度、時間和溫度進行蝕刻，可得到大小顆粒不均勻之金字塔結構，可將拋光之矽晶圓平均反射率由40 %降至11.9 % (350奈米至800奈米)。 我們採用極高頻(40.68 MHz)電漿輔助化學氣相沉積系統，沉積p型氫化非晶矽薄膜；其優點為沉積薄膜時，可使電漿內產生較高的離子密度及降低離子能量，提升沉積的速率也可降低離子轟擊對薄膜造成的損傷，比一般射頻(13.56 MHz)電漿輔助化學氣相沉積系統具有更高的氫原子解離率，可以獲得良好的薄膜品質。實驗中，我們改變製程的溫度、薄膜厚度後，進而調變B2H6、CH4的流量以及H2的稀釋比，沉積p型氫化非晶矽薄膜與本質氫化非晶矽薄膜於玻璃基板，使用UV-VIS分析薄膜的光學特性與光暗電導的電性；並利用以上的調變參數製作成異質接面太陽能電池。 改變矽晶圓表面的變化，搭配p型氫化非晶矽薄膜製作成異質接面太陽能電池；從電性可以發現短路電流密度的確有小幅提升，這是矽晶圓表面金字塔結構發揮光封存的效果，增加電流的產生；但開路電壓卻有下降的趨勢，這是因為p型非晶矽薄膜沉積在矽晶圓初期會有磊晶的現象，再加上沉積於在表面凹凸不平的結構上，更會使薄膜的覆蓋率不佳，無法達到表面鈍化的效果，進而使開路電壓降低。加入本質氫化非晶矽薄膜後，由短路電流密度參數發現，短路電流密度有提升的趨勢，這是因為對矽晶圓產生鈍化的效果，減少載子在接面復合的機會；而開路電壓數值變小的原因推判，可能是本質氫化非晶矽薄膜厚度所影響。我們知道非晶矽與單晶矽接面會有能階差的問題(ΔEv)，所以效率的相形比較下，高氫稀釋比(R25)比低氫稀釋比(R5)些許提升。 矽晶圓經過氫氧化鉀的蝕刻(1%KOH、蝕刻時間30分鐘、加熱溫度90℃)，表面多少還有金屬離子的殘留；所以，除了標準的RCA清潔外，我們再加上乾式氧化的方式使得矽晶圓表面形成氧化層後，再經由HF沖洗浸泡後，隨即沉積p型氫化非晶矽薄膜；經計算後的各項相關電性參數：最佳轉換效率為6.82 ％，開路電壓為0.405 V，短路電流密度為26.4 mA/cm2，填充因子為64.3 ％，串聯電阻為4.3 Ω-cm2，並聯電阻為2080 Ω-cm2。 In this study, we focus on amorphous / crystalline silicon hetero-junction solar cell efficiency conversion diversification, The pyramid reflectance structure of the silicon wafer surface are used to investigate the change related this novel structure relationship. Various p-type hydrogenated amorphous silicon thin film are deposited on n-type silicon wafer and analyzed. Then we fabricate the hetero-junction solar cell and analyze the electrical characteristics from I-V measurements. First, we use the potassium hydroxide (KOH) solution to etch the polish silicon wafer, showing the pyramid structures due to different etching rate between the (100) & (111) orientation. The reaction of the silicon wafer with KOH will release hydrogen. So we use the isopropyl alcohol (IPA) to reduce the impact by the bubbles. In the experiments, the KOH and IPA mixture solution with different concentrations, etching times and temperatures, the pyramidical structures with different sizes can be formed on the polished wafer. It could be found that the average reflectivity from 40% to 11.9% (350nm ~800nm) for the polished wafer and KOH etched wafer. We use very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD；40.68 MHz) to deposit p-type hydrogenated amorphous silicon thin films. VHF-PECVD can produce the high density and low ion energy plasma to enhance the deposition rate and reduce ion bombardment and destruction. As compared with the ratio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD；13.56 MHz), VHF-PECVD can achieve better quality of thin films because of higher generation rate of atomic hydrogen. In the experiments, we change the process temperature, film thickness, and then adjust the B2H6 and CH4 flow rate and H2 dilution ratio. The p-type hydrogenated amorphous silicon film and intrinsic hydrogenated amorphous silicon film are deposited on the glass substrates, and then thin film optical properties are analyzed by UV-VIS and photo/dark conductivity by I-V measurement. Depositing the p-type hydrogenated amorphous silicon thin films on the textured silicon wafer to fabricate hetero-junction solar cells, the short-circuit current density increases slightly, due to the pyramidical structures of silicon wafer to enhance light trapping. However the open circuit voltage decreases, due to the p-type amorphous silicon film deposited on the crystal silicon which epitaxial growth appears initially. Thin film deposited on the un-smooth surface leads to poor step coverage, resulting in lower open circuit voltage. Then we insert the intrinsic hydrogenated amorphous silicon between the p layer and silicon wafer, and the short circuit current density parameter is enhanced due to the surface passivated, which reduces the opportunity of carriers recombination open-circuit voltage reduces, which is influenced by the thickness of intrinsic hydrogenated amorphous silicon thin film. Silicon wafer after KOH etching, there are some metal ions residues on the surface. Therefore besides the standard RCA cleaning the dry oxidation is adopted to grow oxide layer and then rinsed the diluted HF, P-type hydrogenated amorphous silicon thin film is deposited on textured wafer right now. The calculated electrical parameters of the hetero-junctions solar cell are as below：the best conversion efficiency of 6.82 %, open circuit voltage of 0.405 V, the short-circuit current density of 26.4 mA/cm2, the fill factor of 64.3 %, RS of 4.3 Ω-cm2, and Rsh of 2080 Ω-cm2 for the solar cell with the textured wafer ( 1% KOH etching 30min, on 90℃ ) and only P-type hydrogenated amorphous silicon thin film deposited誌謝 i 中文摘要 ii Abstract iv 目次 vi 表目次 viii 圖目次 ix 第一章 簡介 1 1.1 前言 1 1.2 動機與目的 2 1.3 文獻探討 3 1.3.1 HIT太陽能電池文獻探討 3 1.3.2 金字塔結構抗反射文獻探討 5 1.4 論文架構 6 第二章 太陽能電池 8 2.1 太陽能電池基本原理 8 2.2 太陽光譜 11 2.3 氫化非晶矽薄膜特性 12 2.4 太陽能電池的電路模型 14 2.5 太陽能電池的轉換效率 16 2.5.1 造成太陽能電池轉換效率損失原因 19 2.5.2 提高轉換效率的方法 20 2.6 單晶矽的非等向性濕式蝕刻 21 2.6.1 非等向性濕式蝕刻理論 21 2.6.2 非等向性溼蝕刻的反應機制與影響因素 22 2.7 太陽能電池的結構 23 第三章 實驗方法、流程及實驗機台介紹 26 3.1 P型氫化非晶矽薄膜材料製作流程 26 3.1.1 試片清洗 26 3.1.2 P型氫化非晶矽薄膜分析 26 3.2 太陽能矽晶圓表面粗糙化製作設備及流程 29 3.2.1 試片清洗 29 3.2.2 實驗設備及參數 30 3.2.3 實驗流程 31 3.3 異質接面太陽能電池製作流程 32 3.3.1 試片清洗 32 3.3.2 矽晶圓乾式氧化 33 3.3.3 異質接面太陽能電池製作 33 3.4 極高頻電漿輔助化學氣相沉積系統 38 3.5 熱蒸鍍機 40 3.6 濺鍍機 41 3.7 高溫擴散爐管 41 3.8 紫外光可見光光譜(穿透/反射) 42 3.9 積分球反射率量測(散射) 44 3.10 膜厚量測儀(α-step) 44 3.11 光暗電導量測 45 第四章 結果與討論 47 4.1 矽晶圓非等向性蝕刻 47 4.1.1 不同參數探討矽晶圓表面型態 47 4.1.2 不同參數探討反射率光學量測 55 4.2 p型氫化非晶矽薄膜特性探討與對異質接面太陽能電池的影響 58 4.2.1 p型氫化非晶矽薄膜沉積溫度調變對異質接面太陽能電池特性量測 58 4.2.1 不同B2H6流量對p型氫化非晶矽薄膜的影響 60 4.2.2 改變B2H6流量對異質接面太陽能電池特性量測 62 4.2.3 不同CH4流量對p型氫化非晶矽薄膜的影響 64 4.2.4 改變CH4流量對異質接面太陽能電池特性量測 69 4.2.5 改變p型氫化非晶矽薄膜厚度對異質接面太陽能電池特性量測 70 4.2.6 不同H2稀釋比對p型氫化非晶矽薄膜的影響 72 4.2.7 改變H2流量對異質接面太陽能電池特性量測 75 4.3 矽晶圓表面型態的變化對異質接面太陽能電池特性量測 77 4.3.1 不同矽晶圓表面型態改變對異質接面太陽能電池特性影響 77 4.3.2 矽晶圓表面氧化機制對異質接面太陽能電池特性影響 79 4.3.3 加入本質氫化非晶矽薄膜對異質接面太陽能電池特性影響 80 4.3.4 結合最佳參數製作異質接面太陽能電池 81 第五章 結論 85 參考文獻 8