Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction

C. Dubon-Chevalher
F. Alexandre
E. Caquot
M. Bon

The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range ...

Analyse experimentale et modelisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires a heterojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences

RAMIREZ-GARCIA, Eloy
ZEROUNIAN, Nicolas

January 2011

Le développement des technologies de communication et de l information nécessite des composants semi...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et caracterisation du systeme AlGaInAs sur InP et application aux transistors bipolaires a heterojonctions

Praseuth, Jean-Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor bipolaire a heterojonction en structure autoalignee pour application en hyperfrequences

Ketata Daoud, Kaouther

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Collumeau, Jean-Michel

January 1990

SIGLEINIST T 73140 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

Clement, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59272 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

ETUDE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS AVANCEE

MILITARU, LIVIU-LAURENTIU
BREMOND, Georges

January 2000

LE TRANSISTOR BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE PERMET D'ETENDRE LE DOMAINE D'UTILISATION DES TECH...

Analyse et optimisation des performances frequentielles du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Gerard, Christian

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe∶C en technologie BiCMOS 0.25 μm pour les applications d’amplification de puissance

Mans, Pierre-Marie

November 2008

Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l’optimisation du transistor bipolaire à hétéro...

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C en technologie BiCMOS 0.25 µm pour les applications d’amplification de puissance

Mans, Pierre-Marie

January 2021

Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l’optimisation du transistor bipolaire à hétéro...

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe C en technologie BiCMOS 0.25 m pour les applications d'amplification de puissance

MANS, Pierre-Marie
ZIMMER, Thomas
MANEUX, Cristell

January 2008

Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l optimisation du transistor bipolaire à hétéro...

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction

C. Dubon-Chevalher
F. Alexandre
E. Caquot
M. Bon

January 1991

The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range ...

Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides (structure, fabrication et catactérisation)

KAHN, Mathias
ANIEL, Frédéric

January 2004

L'ESSOR DES TELECOMMUNICATIONS A L'ECHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXEME SIECLE A ETE RENDU PO...

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction

C. Dubon-Chevalher
F. Alexandre
E. Caquot
M. Bon

The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range ...

Analyse experimentale et modelisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires a heterojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences

RAMIREZ-GARCIA, Eloy
ZEROUNIAN, Nicolas

January 2011

Le développement des technologies de communication et de l information nécessite des composants semi...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et caracterisation du systeme AlGaInAs sur InP et application aux transistors bipolaires a heterojonctions

Praseuth, Jean-Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor bipolaire a heterojonction en structure autoalignee pour application en hyperfrequences

Ketata Daoud, Kaouther

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Collumeau, Jean-Michel

January 1990

SIGLEINIST T 73140 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

Clement, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59272 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

ETUDE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS AVANCEE

MILITARU, LIVIU-LAURENTIU
BREMOND, Georges

January 2000

LE TRANSISTOR BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE PERMET D'ETENDRE LE DOMAINE D'UTILISATION DES TECH...

Analyse et optimisation des performances frequentielles du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Gerard, Christian

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe∶C en technologie BiCMOS 0.25 μm pour les applications d’amplification de puissance

Mans, Pierre-Marie

November 2008

Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l’optimisation du transistor bipolaire à hétéro...

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C en technologie BiCMOS 0.25 µm pour les applications d’amplification de puissance

Mans, Pierre-Marie

January 2021

Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l’optimisation du transistor bipolaire à hétéro...

Optimisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe C en technologie BiCMOS 0.25 m pour les applications d'amplification de puissance

MANS, Pierre-Marie
ZIMMER, Thomas
MANEUX, Cristell

January 2008

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C. Dubon-Chevalher
F. Alexandre
E. Caquot
M. Bon

January 1991

The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range ...

Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides (structure, fabrication et catactérisation)

KAHN, Mathias
ANIEL, Frédéric

January 2004

L'ESSOR DES TELECOMMUNICATIONS A L'ECHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXEME SIECLE A ETE RENDU PO...

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C. Dubon-Chevalher
F. Alexandre
E. Caquot
M. Bon

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RAMIREZ-GARCIA, Eloy
ZEROUNIAN, Nicolas

January 2011

Le développement des technologies de communication et de l information nécessite des composants semi...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et caracterisation du systeme AlGaInAs sur InP et application aux transistors bipolaires a heterojonctions

Praseuth, Jean-Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

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