Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Talebian, Ali-Asghar

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium

A. Boucher
J.P. Chané
E. Fabre

In this paper we shall give our last results on the setting of the doping level and the concentratio...

Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Bencherifa, Ali
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1988

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Boddaert, Xavier

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitements de passivation des surfaces de l'arséniure de gallium et impact sur les propriétés électro-optiques de ce matériau

St-Arnaud, Ken

January 2015

Ce projet de recherche vise à caractériser l'influence de divers traitements de passivation de surfa...

Contribution a l'etude des defauts profonds dans l'arseniure de gallium implante en oxygene et en oxygene et silicium, par spectroscopie capacitive

Guennouni, Zoheir

January 1991

INIST T 76854 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Preparation et proprietes dans l'infrarouge lointain de films epitaxiques d'arseniure de gallium

Zorkani, Izeddine

January 1985

SIGLECNRS T 58032 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse et caracterisation a l'echelon atomique de l'interaction entre des plasmas multipolaires et les surfaces d'arseniure de gallium

Mabon, Roland

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des proprietes physico-chimiques, electriques et optiques de films minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene obtenus par decharge luminescente radio-frequence

Lauque, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 75513 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Boher, P.
Pasqualini, F.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquee, 94 - Limeil-Brevannes (France)

January 1987

SIGLECNRS AR 12339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'influence du dopage electronique sur la plasticite de l'Arseniure de Gallium

Zongo, Innocent

January 1990

SIGLEINIST T 74822 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des precipites observes dans l'arseniure de gallium : etude de leur influence sur les processus d'homogeneisation de substrats pour circuits integres

Suchet, Philippe
Institut National Polytechnique de Lorraine, 54 - Nancy (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Talebian, Ali-Asghar

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium

A. Boucher
J.P. Chané
E. Fabre

In this paper we shall give our last results on the setting of the doping level and the concentratio...

Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Bencherifa, Ali
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1988

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Boddaert, Xavier

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitements de passivation des surfaces de l'arséniure de gallium et impact sur les propriétés électro-optiques de ce matériau

St-Arnaud, Ken

January 2015

Ce projet de recherche vise à caractériser l'influence de divers traitements de passivation de surfa...

Contribution a l'etude des defauts profonds dans l'arseniure de gallium implante en oxygene et en oxygene et silicium, par spectroscopie capacitive

Guennouni, Zoheir

January 1991

INIST T 76854 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Preparation et proprietes dans l'infrarouge lointain de films epitaxiques d'arseniure de gallium

Zorkani, Izeddine

January 1985

SIGLECNRS T 58032 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse et caracterisation a l'echelon atomique de l'interaction entre des plasmas multipolaires et les surfaces d'arseniure de gallium

Mabon, Roland

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des proprietes physico-chimiques, electriques et optiques de films minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene obtenus par decharge luminescente radio-frequence

Lauque, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 75513 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Boher, P.
Pasqualini, F.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquee, 94 - Limeil-Brevannes (France)

January 1987

SIGLECNRS AR 12339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'influence du dopage electronique sur la plasticite de l'Arseniure de Gallium

Zongo, Innocent

January 1990

SIGLEINIST T 74822 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des precipites observes dans l'arseniure de gallium : etude de leur influence sur les processus d'homogeneisation de substrats pour circuits integres

Suchet, Philippe
Institut National Polytechnique de Lorraine, 54 - Nancy (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Talebian, Ali-Asghar

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium

A. Boucher
J.P. Chané
E. Fabre

In this paper we shall give our last results on the setting of the doping level and the concentratio...

Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Bencherifa, Ali
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1988

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Abstract

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