Mecanismes physiques dus a l'interface dielectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arseniure de gallium

Etude des proprietes physiques et performances potentielles en basses temperatures du transistor a effet de champ AlGaAs/GaAs

Belache, Areski

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors a effet de champ en arseniure de gallium pour les circuits integres monolithiques microondes

Lienhart, Marc-Yves
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1988

SIGLECNRS RP 207 (178) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Semiconductor interfaces, microstructures and devices : properties and applications /

Feng, Zhe Chuan

A semiconductor interface is the contact between the semiconductor and a metal. The interface is a s...

Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Pouysegur, Michel

January 1987

CNRS T 61184 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude theorique et experimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor a effet de champ bigrille a l'arseniure de gallium

Wyrwinski, Jacques

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des structures differentielles a transistor a effet de champ sur arseniure de gallium dans la gamme microonde. Applications

Gonzalez Villarruel, Jauier
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1990

SIGLEINIST T 71279 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electronique et physico-chimique des premiers stades de la formation des interfaces GaSb-metal

Doukkali, Mohamed-Aziz

January 1990

SIGLEINIST T 75824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie des diodes impatt a haut rendement : a barriere metal-semiconducteur GaAs, a hetero jonctions GaInAs/InP

Thao Boun

January 1985

SIGLECNRS T 57261 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une nouvelle methode d'interconnexion pour les transistors arseniure de gallium. Application a un microhybride pour application hyperfrequence

Gauville, G
Jourdain, Ph.
FRT Paris (FRANCE)
Radiotechnique Compelec Evreux (FRANCE)

CNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude electrique de l'interface SiO2-Si des structures MOS-VLSI

Toutah, Hamid

January 1985

SIGLECNRS T 57186 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs/GaAlAs : application a la detection

Kendil, Djamel

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du mecanisme de depot electrochimique d'un semiconducteur binaire, le CdTe

Sella, Catherine

January 1985

SIGLECNRS T 57037 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation d'interfaces metal-semiconducteur : etude a l'equilibre : Pb/Ge (111); etude cinetique : metaux nobles-Si(100)

Imam, Zineddine

January 1985

SIGLECNRS T 57952 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes physiques et performances potentielles en basses temperatures du transistor a effet de champ AlGaAs/GaAs

Belache, Areski

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors a effet de champ en arseniure de gallium pour les circuits integres monolithiques microondes

Lienhart, Marc-Yves
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1988

SIGLECNRS RP 207 (178) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Semiconductor interfaces, microstructures and devices : properties and applications /

Feng, Zhe Chuan

A semiconductor interface is the contact between the semiconductor and a metal. The interface is a s...

Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Pouysegur, Michel

January 1987

CNRS T 61184 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude theorique et experimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor a effet de champ bigrille a l'arseniure de gallium

Wyrwinski, Jacques

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des structures differentielles a transistor a effet de champ sur arseniure de gallium dans la gamme microonde. Applications

Gonzalez Villarruel, Jauier
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1990

SIGLEINIST T 71279 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electronique et physico-chimique des premiers stades de la formation des interfaces GaSb-metal

Doukkali, Mohamed-Aziz

January 1990

SIGLEINIST T 75824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie des diodes impatt a haut rendement : a barriere metal-semiconducteur GaAs, a hetero jonctions GaInAs/InP

Thao Boun

January 1985

SIGLECNRS T 57261 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une nouvelle methode d'interconnexion pour les transistors arseniure de gallium. Application a un microhybride pour application hyperfrequence

Gauville, G
Jourdain, Ph.
FRT Paris (FRANCE)
Radiotechnique Compelec Evreux (FRANCE)

CNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude electrique de l'interface SiO2-Si des structures MOS-VLSI

Toutah, Hamid

January 1985

SIGLECNRS T 57186 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs/GaAlAs : application a la detection

Kendil, Djamel

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du mecanisme de depot electrochimique d'un semiconducteur binaire, le CdTe

Sella, Catherine

January 1985

SIGLECNRS T 57037 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation d'interfaces metal-semiconducteur : etude a l'equilibre : Pb/Ge (111); etude cinetique : metaux nobles-Si(100)

Imam, Zineddine

January 1985

SIGLECNRS T 57952 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes physiques et performances potentielles en basses temperatures du transistor a effet de champ AlGaAs/GaAs

Belache, Areski

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors a effet de champ en arseniure de gallium pour les circuits integres monolithiques microondes

Lienhart, Marc-Yves
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1988

SIGLECNRS RP 207 (178) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Semiconductor interfaces, microstructures and devices : properties and applications /

Feng, Zhe Chuan

A semiconductor interface is the contact between the semiconductor and a metal. The interface is a s...

Mecanismes physiques dus a l'interface dielectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arseniure de gallium

Abstract

Extracted data

Mecanismes physiques dus a l'interface dielectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arseniure de gallium

Abstract

Extracted data

Related items

Related items