Etude physique du bruit de diffusion dans les transistors a effet de champ a heterojonctions

Modele facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en electronique de puissance

Benchaib Bouanane, Khadidja
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77850 / INIST-CNRS -...

Caracterisation du transistor MOS : methodes de caracterisation et extraction automatique des parametres avec UTMOST

Ahmed Miske, Ould El Hadrami
Bouchakour, Rachid
Charlot, Jean-Jacques
Provost, Jean
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France). Dept. Electronique

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 10461 / INIST-CNRS - ...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Etude physico-chimique et electrique des contacts ITO/silicium polycristallin pour la realisation de transistors en couches minces

Elassali, Naima

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82188 / INIST-CNRS ...

Proprietes statiques et dynamiques du transistor VDMOS de puissance a miroir de courant

Djellabi, Kamel

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83323 / INIST-CNRS -...

Sur la theorie de la diffusion et la diffusion inverse pour les operateurs de transport

Arianfar, Poorhashem

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84651 / INIST-CNRS -...

Etude du dopage planaire pour transistor III-V a effet de champ de haute performance

Rochette, Jean-Francois
Etienne, Bernard
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 92 - Bagneux (France). Lab. de Microstructures et Microelectroniques
Picogiga, 91 - Les Ulis (France)
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14812 / INIST-CNRS - ...

Caracterisation fonctionnelle et moleculaire du transport d'uree par diffusion facilitee

Martial, Sonia

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84822 / INIST-CNRS -...

Transistor moleculaire

Ecole Superieure de Physique et Chimie Industrielle (ESPCI), 75 - Paris (France). Lab. de Chimie Inorganique
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1992

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 13995 / INIST-CNRS - ...

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Conception et realisation de transistors bipolaires de puissance a emetteur polysilicium

Ibannain, Mohamed

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81792 / INIST-CNRS -...

Caracterisations electriques d'heterostructures de semiconducteur

Letartre, Xavier

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84576 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude de la realisation du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs a structure autoalignee en technologie double mesa

Bimuala, Bamueni

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84255 / INIST-CNRS -...

Analyse des caracteristiques de transfert de transistors en couches minces fonctionnant en mode d'accumulation en relation avec les proprietes electriques et le structure granulaire de leur couche active de silicium polycristallin

Sehil, Hafida

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81322 / INIST-CNRS -...

Modele facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en electronique de puissance

Benchaib Bouanane, Khadidja
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77850 / INIST-CNRS -...

Caracterisation du transistor MOS : methodes de caracterisation et extraction automatique des parametres avec UTMOST

Ahmed Miske, Ould El Hadrami
Bouchakour, Rachid
Charlot, Jean-Jacques
Provost, Jean
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France). Dept. Electronique

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 10461 / INIST-CNRS - ...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Etude physico-chimique et electrique des contacts ITO/silicium polycristallin pour la realisation de transistors en couches minces

Elassali, Naima

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82188 / INIST-CNRS ...

Proprietes statiques et dynamiques du transistor VDMOS de puissance a miroir de courant

Djellabi, Kamel

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83323 / INIST-CNRS -...

Sur la theorie de la diffusion et la diffusion inverse pour les operateurs de transport

Arianfar, Poorhashem

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84651 / INIST-CNRS -...

Etude du dopage planaire pour transistor III-V a effet de champ de haute performance

Rochette, Jean-Francois
Etienne, Bernard
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 92 - Bagneux (France). Lab. de Microstructures et Microelectroniques
Picogiga, 91 - Les Ulis (France)
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14812 / INIST-CNRS - ...

Caracterisation fonctionnelle et moleculaire du transport d'uree par diffusion facilitee

Martial, Sonia

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84822 / INIST-CNRS -...

Transistor moleculaire

Ecole Superieure de Physique et Chimie Industrielle (ESPCI), 75 - Paris (France). Lab. de Chimie Inorganique
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1992

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 13995 / INIST-CNRS - ...

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Conception et realisation de transistors bipolaires de puissance a emetteur polysilicium

Ibannain, Mohamed

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81792 / INIST-CNRS -...

Caracterisations electriques d'heterostructures de semiconducteur

Letartre, Xavier

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84576 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude de la realisation du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs a structure autoalignee en technologie double mesa

Bimuala, Bamueni

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84255 / INIST-CNRS -...

Analyse des caracteristiques de transfert de transistors en couches minces fonctionnant en mode d'accumulation en relation avec les proprietes electriques et le structure granulaire de leur couche active de silicium polycristallin

Sehil, Hafida

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81322 / INIST-CNRS -...

Modele facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en electronique de puissance

Benchaib Bouanane, Khadidja
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77850 / INIST-CNRS -...

Caracterisation du transistor MOS : methodes de caracterisation et extraction automatique des parametres avec UTMOST

Ahmed Miske, Ould El Hadrami
Bouchakour, Rachid
Charlot, Jean-Jacques
Provost, Jean
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France). Dept. Electronique

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 10461 / INIST-CNRS - ...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Etude physique du bruit de diffusion dans les transistors a effet de champ a heterojonctions

Abstract

Extracted data

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