Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Conception, realisation et caracterisation des amplificateurs de puissance en technologie bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Mezui-Mintsa, Raphael

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83046 / INIST-CNRS -...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Structure electronique et proprietes structurales de depots de terres rares sur metaux de transition

Bertran, Francois

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81193 / INIST-CNRS ...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Bove, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81036 / INIST-CNRS ...

Effets d'orientations sur la structure electronique des puits quantiques GaAs-GaAlAs

El Khalifi, Youness

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 78823 / INIST-CNRS ...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et proprietes optiques d'heterostructures a base de CdHgTe

Ulmer, Laurent

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84361 / INIST-CNRS -...

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Etude optique des doubles puits quantiques GaAs-(GaAl)As

Bonnel, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 78834 / INIST-CNRS ...

Structure electronique et proprietes optiques des heterostructures InGaAs-GaAs

Arnaud, Gerald

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79017 / INIST-CNRS -...

Etude experimentale et theorique des structures moleculaires de quelques derives fonctionnels de l'aice ethanoique

Maury Luciano, Catherine

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 20323 / INIST-CNRS - Ins...

Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de ZnTe sur GaAs(001): une etude par diffraction de rayons-X sous incidence rasante

Etgens, Victor

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79724 / INIST-CNRS -...

Capteurs hyperfrequences integres en monolithique sur GaAs

Descamps, Philippe

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82189 / INIST-CNRS ...

Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et etudes des contraintes dans ces heterostructures

Stoehr, Michele

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81039 / INIST-CNRS ...

Conception, realisation et caracterisation des amplificateurs de puissance en technologie bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Mezui-Mintsa, Raphael

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83046 / INIST-CNRS -...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Structure electronique et proprietes structurales de depots de terres rares sur metaux de transition

Bertran, Francois

January 1992

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Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Bove, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81036 / INIST-CNRS ...

Effets d'orientations sur la structure electronique des puits quantiques GaAs-GaAlAs

El Khalifi, Youness

January 1991

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Croissance par epitaxie par jets moleculaires et proprietes optiques d'heterostructures a base de CdHgTe

Ulmer, Laurent

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84361 / INIST-CNRS -...

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Etude optique des doubles puits quantiques GaAs-(GaAl)As

Bonnel, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 78834 / INIST-CNRS ...

Structure electronique et proprietes optiques des heterostructures InGaAs-GaAs

Arnaud, Gerald

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79017 / INIST-CNRS -...

Etude experimentale et theorique des structures moleculaires de quelques derives fonctionnels de l'aice ethanoique

Maury Luciano, Catherine

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 20323 / INIST-CNRS - Ins...

Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de ZnTe sur GaAs(001): une etude par diffraction de rayons-X sous incidence rasante

Etgens, Victor

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79724 / INIST-CNRS -...

Capteurs hyperfrequences integres en monolithique sur GaAs

Descamps, Philippe

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82189 / INIST-CNRS ...

Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et etudes des contraintes dans ces heterostructures

Stoehr, Michele

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81039 / INIST-CNRS ...

Conception, realisation et caracterisation des amplificateurs de puissance en technologie bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Mezui-Mintsa, Raphael

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83046 / INIST-CNRS -...

Transistor pseudomorphique multicanaux de puissance hyperfrequence

Thomson-CSF, 91 - Orsay (France). Lab. Central de Recherches
Lille-1 Univ., 59 - Villeneuve d'Ascq (France)
Institut Superieur d'Electronique du Nord, 59 - Lille (France)
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14145 / INIST-CNRS - ...

Structure electronique et proprietes structurales de depots de terres rares sur metaux de transition

Bertran, Francois

January 1992

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Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

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Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

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