Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

Simulation bidimensionnelle de technologies silicium. L'approche multicouche

Baccus, Bruno

January 1990

SIGLEINIST T 70588 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la variation du pas de calcul dans la simulation des convertisseurs statiques (logiciel S.C.R.I.P.T.) : application a la modelisation de convertisseurs a transistors de puissance

Martins, Denizar Cruz
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59652 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

ETUDE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS AVANCEE

MILITARU, LIVIU-LAURENTIU
BREMOND, Georges

January 2000

LE TRANSISTOR BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE PERMET D'ETENDRE LE DOMAINE D'UTILISATION DES TECH...

Etude du systeme emetteur-base d'un transistor bipolaire autoaligne dans le cadre d'une technologie VLSI biCMOS

Giroult-Matlakowski, Gaeelle
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75789 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Relations entre performances et parametres structuraux des transistors bipolaires de puissance : application a la conception des composants

Reynes, Jean-Michel
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14896 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du transistor bipolaire NPN a double heterojonction Si/SiGe/Si par simulations Monte-Carlo

Galdin Retailleau, Sylvie

January 1992

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82682 / INIST-CNRS - Inst...

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation numerique uni et bidimensionnelle de composants bipolaires

Labniouri, Charaf

January 1990

SIGLEINIST T 75858 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Bibliotheque de modeles du transistor V. DMOS pour la simulation des circuits de l'electronique de puissance

Allain, Dominique
Ecole Nationale Superieure de l'Aeronautique et de l'Espace de Toulouse, 31 (France)

January 1989

CNRS TD 18456 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Caracterisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec controle du potentiel par une grille arriere : application aux transistors MOS Silicium-Sur-Saphir

Balestra, Francis
Institut National Polytechnique de Grenoble, 38 - Saint-Martin-d'Heres (France)

January 1985

SIGLECNRS T 57107 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation de circuits adaptes au traitement du signal

Guennouni, Jamal
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS T 66313 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation Monte Carlo dibimensionnelle de transistors a effet de champ a grille isolee sur heterostructures III-V

Bellahsni, Karim

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 76141 / INIST-CNRS -...

Simulation Avancee des Circuits Micro-Ondes

Zhang, Xiaohui

January 1989

SIGLEINIST T 73276 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et realisation de transistors bipolaires a double heterojonction GaAlAs/GaAs pour circuits integres de logique I"2L

Jamai, Jamal

January 1988

SIGLECNRS T 63380 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes dynamiques des transistors MOS de puissance

Belabadia, Mohammed

January 1988

SIGLECNRS T 63386 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation bidimensionnelle de technologies silicium. L'approche multicouche

Baccus, Bruno

January 1990

SIGLEINIST T 70588 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la variation du pas de calcul dans la simulation des convertisseurs statiques (logiciel S.C.R.I.P.T.) : application a la modelisation de convertisseurs a transistors de puissance

Martins, Denizar Cruz
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59652 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

ETUDE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS AVANCEE

MILITARU, LIVIU-LAURENTIU
BREMOND, Georges

January 2000

LE TRANSISTOR BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE PERMET D'ETENDRE LE DOMAINE D'UTILISATION DES TECH...

Etude du systeme emetteur-base d'un transistor bipolaire autoaligne dans le cadre d'une technologie VLSI biCMOS

Giroult-Matlakowski, Gaeelle
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75789 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Relations entre performances et parametres structuraux des transistors bipolaires de puissance : application a la conception des composants

Reynes, Jean-Michel
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14896 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du transistor bipolaire NPN a double heterojonction Si/SiGe/Si par simulations Monte-Carlo

Galdin Retailleau, Sylvie

January 1992

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82682 / INIST-CNRS - Inst...

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation numerique uni et bidimensionnelle de composants bipolaires

Labniouri, Charaf

January 1990

SIGLEINIST T 75858 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Bibliotheque de modeles du transistor V. DMOS pour la simulation des circuits de l'electronique de puissance

Allain, Dominique
Ecole Nationale Superieure de l'Aeronautique et de l'Espace de Toulouse, 31 (France)

January 1989

CNRS TD 18456 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Caracterisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec controle du potentiel par une grille arriere : application aux transistors MOS Silicium-Sur-Saphir

Balestra, Francis
Institut National Polytechnique de Grenoble, 38 - Saint-Martin-d'Heres (France)

January 1985

SIGLECNRS T 57107 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation de circuits adaptes au traitement du signal

Guennouni, Jamal
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS T 66313 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation Monte Carlo dibimensionnelle de transistors a effet de champ a grille isolee sur heterostructures III-V

Bellahsni, Karim

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 76141 / INIST-CNRS -...

Simulation Avancee des Circuits Micro-Ondes

Zhang, Xiaohui

January 1989

SIGLEINIST T 73276 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et realisation de transistors bipolaires a double heterojonction GaAlAs/GaAs pour circuits integres de logique I"2L

Jamai, Jamal

January 1988

SIGLECNRS T 63380 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes dynamiques des transistors MOS de puissance

Belabadia, Mohammed

January 1988

SIGLECNRS T 63386 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Simulation bidimensionnelle de technologies silicium. L'approche multicouche

Baccus, Bruno

January 1990

SIGLEINIST T 70588 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la variation du pas de calcul dans la simulation des convertisseurs statiques (logiciel S.C.R.I.P.T.) : application a la modelisation de convertisseurs a transistors de puissance

Martins, Denizar Cruz
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59652 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

ETUDE DES DEFAUTS INDUITS LORS DE L'INTEGRATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS AVANCEE

MILITARU, LIVIU-LAURENTIU
BREMOND, Georges

January 2000

LE TRANSISTOR BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SI/SIGE PERMET D'ETENDRE LE DOMAINE D'UTILISATION DES TECH...

Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

Abstract

Extracted data

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