Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium. Effet Getter

Contribution a l'etude des siliciures pour la microelectronique

Thomas, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T 60121 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'electrons pulses

Doghmane, Mohammed-Salah
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1984

SIGLET 56234 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electriques et dielectriques de la cerine dopee

Sylvestre, Annie

January 1984

SIGLET 56564 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Selmani, Larbi
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1985

SIGLECNRS T 56937 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Microelectronique silicium. Silicium sur isolant. Soutien aux activites GCIS. Outils generaux. Connectique

Joly, Jean-Pierre
Nicolas, Gerard
Cussol, Pierre
Niez, Jean-Jacques
Micolet, Rene
Lamure, Jean-Michel
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
CEA Centre d'Etudes Nucleaires de Grenoble, 38 (France). Lab. d'Electronique et de Technologie de l'Informatique (LETI)

January 1985

SIGLECNRS AR 12175 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium

Remram, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Defauts induits dans le silicium par le gravure plasma

Belkacem, Amrane

January 1991

SIGLEINIST T 75442 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le silicium a finalite microelectronique et photovoltaique

Huong, Pham Van
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Bordeaux-1 Univ., 33 - Talence (France). Lab. de Spectroscopie Moleculaire et Cristalline

January 1987

CNRS RP 400 (634) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution au recuit du silicium par couplage microondes-faisceau d'electrons

Zaraidi, Abdelhak
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1984

SIGLECNRS T 55882 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Comportement dynamique des plaques minces de silicium - Application aux capteurs de pression

Pons, Patrick
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73668 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. "Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales"

Boussey Said, Jumana
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73009 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Role du materiau de depart et des processus technologiques sur la tenue aux irradiations des photopiles solaires au silicium a usage spatial

Lagouin, Michel

January 1984

SIGLECNRS T 55819 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la reponse au pH du nitrure de silicium en vue de la realisation de capteurs microelectroniques

Lefevre, Christophe

January 1989

SIGLECNRS T 66522 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le dopage du silicium en epitaxie par jet moleculaire

Andrieu, Stephane

January 1990

SIGLEINIST T 73006 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Titanage electrolytique du cuivre en milieux de sels fondus

Renaud, Denis

January 1985

SIGLECNRS T 57160 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des siliciures pour la microelectronique

Thomas, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T 60121 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'electrons pulses

Doghmane, Mohammed-Salah
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1984

SIGLET 56234 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electriques et dielectriques de la cerine dopee

Sylvestre, Annie

January 1984

SIGLET 56564 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Selmani, Larbi
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1985

SIGLECNRS T 56937 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Microelectronique silicium. Silicium sur isolant. Soutien aux activites GCIS. Outils generaux. Connectique

Joly, Jean-Pierre
Nicolas, Gerard
Cussol, Pierre
Niez, Jean-Jacques
Micolet, Rene
Lamure, Jean-Michel
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
CEA Centre d'Etudes Nucleaires de Grenoble, 38 (France). Lab. d'Electronique et de Technologie de l'Informatique (LETI)

January 1985

SIGLECNRS AR 12175 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium

Remram, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Defauts induits dans le silicium par le gravure plasma

Belkacem, Amrane

January 1991

SIGLEINIST T 75442 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le silicium a finalite microelectronique et photovoltaique

Huong, Pham Van
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Bordeaux-1 Univ., 33 - Talence (France). Lab. de Spectroscopie Moleculaire et Cristalline

January 1987

CNRS RP 400 (634) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution au recuit du silicium par couplage microondes-faisceau d'electrons

Zaraidi, Abdelhak
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1984

SIGLECNRS T 55882 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Comportement dynamique des plaques minces de silicium - Application aux capteurs de pression

Pons, Patrick
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73668 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. "Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales"

Boussey Said, Jumana
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73009 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Role du materiau de depart et des processus technologiques sur la tenue aux irradiations des photopiles solaires au silicium a usage spatial

Lagouin, Michel

January 1984

SIGLECNRS T 55819 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la reponse au pH du nitrure de silicium en vue de la realisation de capteurs microelectroniques

Lefevre, Christophe

January 1989

SIGLECNRS T 66522 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le dopage du silicium en epitaxie par jet moleculaire

Andrieu, Stephane

January 1990

SIGLEINIST T 73006 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Titanage electrolytique du cuivre en milieux de sels fondus

Renaud, Denis

January 1985

SIGLECNRS T 57160 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des siliciures pour la microelectronique

Thomas, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T 60121 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'electrons pulses

Doghmane, Mohammed-Salah
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1984

SIGLET 56234 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electriques et dielectriques de la cerine dopee

Sylvestre, Annie

January 1984

SIGLET 56564 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium. Effet Getter

Abstract

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