Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Depot chimique en phase vapeur selectif du disiliciure de titane pour la microelectronique

Mastromatteo, Eric
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEINIST T 77018 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude comparee de la pyrolyse de composes organogermanies : application aux depots chimiques en phase vapeur

Sefiani, Nezha
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59649 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

Trochut, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS TD 15439 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mise au point d'un reacteur d'epitaxie aux trichlorures destine a la realisation d'heterostructures GaInAs/InP extremement abruptes pour des applications optoelectroniques

Guedon, Christophe

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Boucles a verouillage de phase pour les transmissions par salves

Louafi, Moussa

January 1986

SIGLECNRS TD 15497 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Bove, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81036 / INIST-CNRS ...

Depot chimique en phase vapeur de siliciures pour la microelectronique

Blanquet, Elisabeth
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

INIST T 73476 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Depot chimique en phase vapeur selectif du disiliciure de titane pour la microelectronique

Mastromatteo, Eric
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEINIST T 77018 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude comparee de la pyrolyse de composes organogermanies : application aux depots chimiques en phase vapeur

Sefiani, Nezha
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59649 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

Trochut, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS TD 15439 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mise au point d'un reacteur d'epitaxie aux trichlorures destine a la realisation d'heterostructures GaInAs/InP extremement abruptes pour des applications optoelectroniques

Guedon, Christophe

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Boucles a verouillage de phase pour les transmissions par salves

Louafi, Moussa

January 1986

SIGLECNRS TD 15497 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Bove, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81036 / INIST-CNRS ...

Depot chimique en phase vapeur de siliciures pour la microelectronique

Blanquet, Elisabeth
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

INIST T 73476 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Depot chimique en phase vapeur selectif du disiliciure de titane pour la microelectronique

Mastromatteo, Eric
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEINIST T 77018 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude comparee de la pyrolyse de composes organogermanies : application aux depots chimiques en phase vapeur

Sefiani, Nezha
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59649 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

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Extracted data

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