Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et realisation de transistors bipolaires a double heterojonction GaAlAs/GaAs pour circuits integres de logique I"2L

Jamai, Jamal

January 1988

SIGLECNRS T 63380 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la realisation du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs a structure autoalignee en technologie double mesa

Bimuala, Bamueni

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84255 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et caracterisation du systeme AlGaInAs sur InP et application aux transistors bipolaires a heterojonctions

Praseuth, Jean-Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Evaluation de la logique a injection sur arseniure de gallium et realisation de transistors bipolaires a heterojonction GaAlAs/GaAs par epitaxie par jets moleculaires

Touahni, Raja

January 1986

SIGLECNRS T 59289 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs/GaAlAs : application a la detection

Kendil, Djamel

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et realisation de transistors bipolaires a double heterojonction GaAlAs/GaAs pour circuits integres de logique I"2L

Jamai, Jamal

January 1988

SIGLECNRS T 63380 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la realisation du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs a structure autoalignee en technologie double mesa

Bimuala, Bamueni

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84255 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et caracterisation du systeme AlGaInAs sur InP et application aux transistors bipolaires a heterojonctions

Praseuth, Jean-Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Evaluation de la logique a injection sur arseniure de gallium et realisation de transistors bipolaires a heterojonction GaAlAs/GaAs par epitaxie par jets moleculaires

Touahni, Raja

January 1986

SIGLECNRS T 59289 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs/GaAlAs : application a la detection

Kendil, Djamel

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude theorique et experimentale du transistor a effet de champ a heterojonction AlGaAs/GaAs

Versnaeyen, Christophe

January 1985

SIGLECNRS T 57264 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et realisation de transistors bipolaires a double heterojonction GaAlAs/GaAs pour circuits integres de logique I"2L

Jamai, Jamal

January 1988

SIGLECNRS T 63380 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la realisation du transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs a structure autoalignee en technologie double mesa

Bimuala, Bamueni

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84255 / INIST-CNRS -...

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Abstract

Extracted data

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