Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K

Pitard, F.
Tournié, E.
Mohou, M.
Boissier, G.
Lazzari, J.-L.
Joullié, A.-M.
Alibert, C.
Joullié, A.
Goarin, E.
Benoit, J.

January 1991

Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI...

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

R. Landreaux
O. Boulard
J.P. Jicquel
H. Lebled
L. Legouezigou
Y. Louis
J. Magnabal
D. Sigogne
J. Benoit

La réalisation par épitaxie en phase liquide de diodes laser à faible courant de seuil (≈ 20 mA), à ...

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Preparation et etude de diodes lasers a GaInAsSb emettant vers 2 micrometres

Pitard, Francoise

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79855 / INIST-CNRS - Inst...

EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) EMETTANT AU VOISINAGE DE 1,55µm ET CARACTERISEES PAR UNE FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL

J.P. Jicquel
A. Perronnet
H. Lebled
M. Matabon
J. Benoit

Cette communication est relative aux problèmes liés à la croissance de doubles hétérostructures lase...

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Principales caracteristiques des lasers a semiconducteurs a cavite etendue : application a l'amelioration des proprietes spectrales des diodes laser

De Labachelerie, Michel

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes laser GaInAsSb/AlGaAsSb pour émission dans la gamme 2-3 µm et au-delà

Rouillard, Yves

December 2007

Ce dossier porte sur la réalisation de composants optoélectroniques à base d'antimoniures par épitax...

Croissance et caracterisation d'alliages GaAsySb1-y epitaxies en phase liquide sur substrat InAs

Mani, Habib

January 1984

SIGLECNRS T 55470 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER

F. Broutet
J.C. Desoyer
E. Fogarassy
P. Siffert

Une étude du phénomène de diffusion induite par faisceau laser de différents dopants dans le siliciu...

Realisation et etude d'une double heterostructure laser InAsSb/InAsSbP emettant a plus de trois microns

Mani, Habib

January 1989

SIGLEINIST TD 19576 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K

Pitard, F.
Tournié, E.
Mohou, M.
Boissier, G.
Lazzari, J.-L.
Joullié, A.-M.
Alibert, C.
Joullié, A.
Goarin, E.
Benoit, J.

January 1991

Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI...

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K

Pitard, F.
Tournié, E.
Mohou, M.
Boissier, G.
Lazzari, J.-L.
Joullié, A.-M.
Alibert, C.
Joullié, A.
Goarin, E.
Benoit, J.

January 1991

Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI...

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

R. Landreaux
O. Boulard
J.P. Jicquel
H. Lebled
L. Legouezigou
Y. Louis
J. Magnabal
D. Sigogne
J. Benoit

La réalisation par épitaxie en phase liquide de diodes laser à faible courant de seuil (≈ 20 mA), à ...

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Preparation et etude de diodes lasers a GaInAsSb emettant vers 2 micrometres

Pitard, Francoise

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79855 / INIST-CNRS - Inst...

EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) EMETTANT AU VOISINAGE DE 1,55µm ET CARACTERISEES PAR UNE FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL

J.P. Jicquel
A. Perronnet
H. Lebled
M. Matabon
J. Benoit

Cette communication est relative aux problèmes liés à la croissance de doubles hétérostructures lase...

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Principales caracteristiques des lasers a semiconducteurs a cavite etendue : application a l'amelioration des proprietes spectrales des diodes laser

De Labachelerie, Michel

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes laser GaInAsSb/AlGaAsSb pour émission dans la gamme 2-3 µm et au-delà

Rouillard, Yves

December 2007

Ce dossier porte sur la réalisation de composants optoélectroniques à base d'antimoniures par épitax...

Croissance et caracterisation d'alliages GaAsySb1-y epitaxies en phase liquide sur substrat InAs

Mani, Habib

January 1984

SIGLECNRS T 55470 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER

F. Broutet
J.C. Desoyer
E. Fogarassy
P. Siffert

Une étude du phénomène de diffusion induite par faisceau laser de différents dopants dans le siliciu...

Realisation et etude d'une double heterostructure laser InAsSb/InAsSbP emettant a plus de trois microns

Mani, Habib

January 1989

SIGLEINIST TD 19576 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K

Pitard, F.
Tournié, E.
Mohou, M.
Boissier, G.
Lazzari, J.-L.
Joullié, A.-M.
Alibert, C.
Joullié, A.
Goarin, E.
Benoit, J.

January 1991

Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI...

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K

Pitard, F.
Tournié, E.
Mohou, M.
Boissier, G.
Lazzari, J.-L.
Joullié, A.-M.
Alibert, C.
Joullié, A.
Goarin, E.
Benoit, J.

January 1991

Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI...

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

R. Landreaux
O. Boulard
J.P. Jicquel
H. Lebled
L. Legouezigou
Y. Louis
J. Magnabal
D. Sigogne
J. Benoit

La réalisation par épitaxie en phase liquide de diodes laser à faible courant de seuil (≈ 20 mA), à ...

Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Abstract

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Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Abstract

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