Linearisation des amplificateurs de puissance a transistors a effet de champ GaAs en hyperfrequences

Amplification linéaire de puissance dans la gamme millimétrique (étude de la méthode par ré-injection et de la conception d'un module linéaire)

CORDIER, Christophe
KENNIS, Patrick

January 2001

CE MEMOIRE TRAITE DE LA REALISATION D'UN DISPOSITIF DE LINEARISATION PAR RE-INJECTION, D'UN AMPLIFIC...

Intrinsic performance improvement of a power amplifier using a linearization technique

Loraine, Jérôme

December 2019

La demande toujours croissante de connectivité sans fil entraine le développement de nouvelles génér...

Conception et realisation de convertisseur de frequence et d'oscillateurs monolithiques a transistors a effet de champ

Hembert, Serge

January 1990

SIGLEINIST T 72919 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

Clement, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59272 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales

TAPFUH MOUAFO, Joseph
JARRY, Bernard
CAMPOVECCHIO, Michel

January 2008

This work presents an analysis of low-level and high linearity amplifier circuits, and proposes solu...

Caracterisation des transistors a effet de champ GaAs hyperfrequence de puissance en regime non lineaire

Goudelis, Michel
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications, 75 - Paris (France)

January 1981

SIGLEAvailable from Centre de Documentation Scientifique et Technique, CNRS, 26 rue Boyer, 75971 Par...

Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

TRASSAERT, Stéphane
CROSNIER, Yves

January 2000

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semico...

Calcul et realisation des amplificateurs a transistors a effet de champ en GaAs pour les frequences de 20 GHz a 30 GHz

Soares, R.
Legaud, P.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 252 (296) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

Amplification de puissance en régime non linéaire et en hautes fréquences à transistor MOS

Latreche, S.
Tardivo, G.
Belabadia, M.
Rossel, P.

January 1987

Un modèle mathématique du transistor V.MOS prenant en compte les effets de canal court et les non-li...

Modelisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfrequence du transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium

Halkias, Georges

January 1985

SIGLECNRS T 57225 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Highly linear and efficient AlGaAs/GaAs HBT power amplifier with integrated linearizer

MRUNAL, AK
SHIRASGAONKAR, M
PATRIKA, R

January 2006

This paper gives the description of a novel linearization technique using schottky diode as an activ...

Transistor bipolaire a heterojonction en structure autoalignee pour application en hyperfrequences

Ketata Daoud, Kaouther

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

Termanini, Mohamed Jalal

January 1987

SIGLECNRS T 61154 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Amplification linéaire de puissance dans la gamme millimétrique (étude de la méthode par ré-injection et de la conception d'un module linéaire)

CORDIER, Christophe
KENNIS, Patrick

January 2001

CE MEMOIRE TRAITE DE LA REALISATION D'UN DISPOSITIF DE LINEARISATION PAR RE-INJECTION, D'UN AMPLIFIC...

Intrinsic performance improvement of a power amplifier using a linearization technique

Loraine, Jérôme

December 2019

La demande toujours croissante de connectivité sans fil entraine le développement de nouvelles génér...

Conception et realisation de convertisseur de frequence et d'oscillateurs monolithiques a transistors a effet de champ

Hembert, Serge

January 1990

SIGLEINIST T 72919 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

Clement, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59272 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales

TAPFUH MOUAFO, Joseph
JARRY, Bernard
CAMPOVECCHIO, Michel

January 2008

This work presents an analysis of low-level and high linearity amplifier circuits, and proposes solu...

Caracterisation des transistors a effet de champ GaAs hyperfrequence de puissance en regime non lineaire

Goudelis, Michel
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications, 75 - Paris (France)

January 1981

SIGLEAvailable from Centre de Documentation Scientifique et Technique, CNRS, 26 rue Boyer, 75971 Par...

Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

TRASSAERT, Stéphane
CROSNIER, Yves

January 2000

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semico...

Calcul et realisation des amplificateurs a transistors a effet de champ en GaAs pour les frequences de 20 GHz a 30 GHz

Soares, R.
Legaud, P.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 252 (296) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

Amplification de puissance en régime non linéaire et en hautes fréquences à transistor MOS

Latreche, S.
Tardivo, G.
Belabadia, M.
Rossel, P.

January 1987

Un modèle mathématique du transistor V.MOS prenant en compte les effets de canal court et les non-li...

Modelisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfrequence du transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium

Halkias, Georges

January 1985

SIGLECNRS T 57225 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Highly linear and efficient AlGaAs/GaAs HBT power amplifier with integrated linearizer

MRUNAL, AK
SHIRASGAONKAR, M
PATRIKA, R

January 2006

This paper gives the description of a novel linearization technique using schottky diode as an activ...

Transistor bipolaire a heterojonction en structure autoalignee pour application en hyperfrequences

Ketata Daoud, Kaouther

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

Termanini, Mohamed Jalal

January 1987

SIGLECNRS T 61154 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Amplification linéaire de puissance dans la gamme millimétrique (étude de la méthode par ré-injection et de la conception d'un module linéaire)

CORDIER, Christophe
KENNIS, Patrick

January 2001

CE MEMOIRE TRAITE DE LA REALISATION D'UN DISPOSITIF DE LINEARISATION PAR RE-INJECTION, D'UN AMPLIFIC...

Intrinsic performance improvement of a power amplifier using a linearization technique

Loraine, Jérôme

December 2019

La demande toujours croissante de connectivité sans fil entraine le développement de nouvelles génér...

Conception et realisation de convertisseur de frequence et d'oscillateurs monolithiques a transistors a effet de champ

Hembert, Serge

January 1990

SIGLEINIST T 72919 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Linearisation des amplificateurs de puissance a transistors a effet de champ GaAs en hyperfrequences

Abstract

Extracted data

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