Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation de la densite de courant de saturation base-emetteur d'un transistor bioplaire de puissance. Effets lies aux forts dopage

Lassoued, Salima
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83429 / INIST-CNRS -...

Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin

FARMAKIS, Filippos
BRINI, Jean

January 2000

LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTO...

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Mazaleyrat, Eric

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude experimentale et modelisation des caracteristiques electriques de transistors a effet de champ en couches minces de silicium polycristallin non dope : effets de traitements thermiques et d'hydrogenations

Tessier, Pierre-Yves

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS RP 207 (209) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes

Montoriol, Gilles

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

January 1984

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

Sakri, Abdallah

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation de transistors bipolaires de puissance a emetteur polysilicium

Ibannain, Mohamed

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81792 / INIST-CNRS -...

Modelisation mono- et bidimensionnelle des phenomenes electrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : application a l'effet de champ dans une structure MOS

Lhermite, Herve

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene

El Gharib, Abdelmajid

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation de la densite de courant de saturation base-emetteur d'un transistor bioplaire de puissance. Effets lies aux forts dopage

Lassoued, Salima
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83429 / INIST-CNRS -...

Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin

FARMAKIS, Filippos
BRINI, Jean

January 2000

LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTO...

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Mazaleyrat, Eric

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude experimentale et modelisation des caracteristiques electriques de transistors a effet de champ en couches minces de silicium polycristallin non dope : effets de traitements thermiques et d'hydrogenations

Tessier, Pierre-Yves

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS RP 207 (209) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes

Montoriol, Gilles

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

January 1984

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

Sakri, Abdallah

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation de transistors bipolaires de puissance a emetteur polysilicium

Ibannain, Mohamed

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81792 / INIST-CNRS -...

Modelisation mono- et bidimensionnelle des phenomenes electrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : application a l'effet de champ dans une structure MOS

Lhermite, Herve

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene

El Gharib, Abdelmajid

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation de la densite de courant de saturation base-emetteur d'un transistor bioplaire de puissance. Effets lies aux forts dopage

Lassoued, Salima
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83429 / INIST-CNRS -...

Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin

FARMAKIS, Filippos
BRINI, Jean

January 2000

LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTO...

Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Abstract

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