Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

January 1984

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nitruration du silicium : application a l'isolation de champ des transistors MOS submicroniques

Molle, Pascale
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1989

SIGLECNRS T 69409 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des cellules solaires au silicium polycristallin

Belkhaoua, Abdellah
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes

Montoriol, Gilles

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Sangouard, Patrick

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec controle du potentiel par une grille arriere : application aux transistors MOS Silicium-Sur-Saphir

Balestra, Francis
Institut National Polytechnique de Grenoble, 38 - Saint-Martin-d'Heres (France)

January 1985

SIGLECNRS T 57107 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des fautes dans les circuits integres MOS

Renovell, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59568 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la caracterisation et a la modelisation de transistors NMOS submicroniques en haute frequence

Raynaud, Christine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T 65021 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors a effet de champ en arseniure de gallium pour les circuits integres monolithiques microondes

Lienhart, Marc-Yves
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1988

SIGLECNRS RP 207 (178) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des effets de la reduction des dimensions du transistor MOS : application a la conception des circuits integres analogiques CMOS

Kiefer, Jean-Georges

January 1986

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des siliciures pour la microelectronique

Thomas, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T 60121 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

January 1984

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nitruration du silicium : application a l'isolation de champ des transistors MOS submicroniques

Molle, Pascale
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1989

SIGLECNRS T 69409 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des cellules solaires au silicium polycristallin

Belkhaoua, Abdellah
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes

Montoriol, Gilles

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Sangouard, Patrick

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec controle du potentiel par une grille arriere : application aux transistors MOS Silicium-Sur-Saphir

Balestra, Francis
Institut National Polytechnique de Grenoble, 38 - Saint-Martin-d'Heres (France)

January 1985

SIGLECNRS T 57107 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des fautes dans les circuits integres MOS

Renovell, Michel

January 1986

SIGLECNRS T 59568 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la caracterisation et a la modelisation de transistors NMOS submicroniques en haute frequence

Raynaud, Christine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T 65021 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors a effet de champ en arseniure de gallium pour les circuits integres monolithiques microondes

Lienhart, Marc-Yves
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1988

SIGLECNRS RP 207 (178) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des effets de la reduction des dimensions du transistor MOS : application a la conception des circuits integres analogiques CMOS

Kiefer, Jean-Georges

January 1986

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des siliciures pour la microelectronique

Thomas, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T 60121 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

January 1984

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nitruration du silicium : application a l'isolation de champ des transistors MOS submicroniques

Molle, Pascale
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1989

SIGLECNRS T 69409 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des cellules solaires au silicium polycristallin

Belkhaoua, Abdellah
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Abstract

Extracted data

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Abstract

Extracted data

Related items

Related items