Contribution des proprietes de surfaces reelles et de la nature du metal aux caracteristiques electriques des diodes Schottky: Au, Ag et In/n-GaP

Contribution a l'etude des proprietes electroniques d'alliages metalliques liquides de type metal noble (ou de transition)-polyvalent

Chaib, Cheikh

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la phosphatation electrochimique des surfaces metalliques

Gougelin, Patrick

January 1985

SIGLECNRS T 57061 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie des diodes impatt a haut rendement : a barriere metal-semiconducteur GaAs, a hetero jonctions GaInAs/InP

Thao Boun

January 1985

SIGLECNRS T 57261 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des diodes Schottky a temps de transit

Dahalani, Mohamed Saied Abasse
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1984

SIGLECNRS T 55784 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electroniques des diodes Schottky GaP(110) n/Al ou Ag en relation avec celles de la surface et de l'interface : effet d'une couche intercalaire d'antimoine et du recuit

Benkacem, Mustapha

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de diodes Schottky elaborees a partir de polymeres electroactifs

Boudemagh, Farouk

January 1986

SIGLECNRS T 59949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude electrochimique du nickel en milieu sulfurique

Omalek, Youssef

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes optiques et electriques de diodes MIM a structure plane

Ridouane, Hamid

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques des superreseaux metalliques et semiconducteurs

Rahmani, Moulay-Driss

January 1990

SIGLEINIST T 75881 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Instrumentation et techniques de caracterisation transitoire de diodes metal-isolant-semiconducteur : applications au systeme metal-isolant-InP

Zencirci, M.Nejat
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la technologie bipolaire STL : caracterisation, modelisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si

Caille, Denis

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes Schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises

Abachi, Tahar

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la description theorique de l'interface metal noble / solution electrolytique

Russier, Vincent

January 1986

SIGLECNRS T 59785 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du raffinage electrochimique du zinc en milieu de chlorures fondus

Jafarian, Majid
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73884 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des surfaces et interfaces metal-semiconducteur (Ag/Si; Au/Si) par spectroscopie de pertes d'energies d'electrons lents a haute resolution

Contini, Rino

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques d'alliages metalliques liquides de type metal noble (ou de transition)-polyvalent

Chaib, Cheikh

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la phosphatation electrochimique des surfaces metalliques

Gougelin, Patrick

January 1985

SIGLECNRS T 57061 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie des diodes impatt a haut rendement : a barriere metal-semiconducteur GaAs, a hetero jonctions GaInAs/InP

Thao Boun

January 1985

SIGLECNRS T 57261 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des diodes Schottky a temps de transit

Dahalani, Mohamed Saied Abasse
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1984

SIGLECNRS T 55784 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electroniques des diodes Schottky GaP(110) n/Al ou Ag en relation avec celles de la surface et de l'interface : effet d'une couche intercalaire d'antimoine et du recuit

Benkacem, Mustapha

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de diodes Schottky elaborees a partir de polymeres electroactifs

Boudemagh, Farouk

January 1986

SIGLECNRS T 59949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude electrochimique du nickel en milieu sulfurique

Omalek, Youssef

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes optiques et electriques de diodes MIM a structure plane

Ridouane, Hamid

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques des superreseaux metalliques et semiconducteurs

Rahmani, Moulay-Driss

January 1990

SIGLEINIST T 75881 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Instrumentation et techniques de caracterisation transitoire de diodes metal-isolant-semiconducteur : applications au systeme metal-isolant-InP

Zencirci, M.Nejat
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la technologie bipolaire STL : caracterisation, modelisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si

Caille, Denis

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes Schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises

Abachi, Tahar

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la description theorique de l'interface metal noble / solution electrolytique

Russier, Vincent

January 1986

SIGLECNRS T 59785 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du raffinage electrochimique du zinc en milieu de chlorures fondus

Jafarian, Majid
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1990

SIGLEINIST T 73884 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des surfaces et interfaces metal-semiconducteur (Ag/Si; Au/Si) par spectroscopie de pertes d'energies d'electrons lents a haute resolution

Contini, Rino

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques d'alliages metalliques liquides de type metal noble (ou de transition)-polyvalent

Chaib, Cheikh

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la phosphatation electrochimique des surfaces metalliques

Gougelin, Patrick

January 1985

SIGLECNRS T 57061 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie des diodes impatt a haut rendement : a barriere metal-semiconducteur GaAs, a hetero jonctions GaInAs/InP

Thao Boun

January 1985

SIGLECNRS T 57261 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution des proprietes de surfaces reelles et de la nature du metal aux caracteristiques electriques des diodes Schottky: Au, Ag et In/n-GaP

Abstract

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