Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Proprietes electroniques et optiques des superreseaux GaAs/GaAlAs de petites periodes

Chomette, Andre

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'interface GaAs/electrolyte : apport des mesures de photocapacite et des modifications de surface par depot electrolytique de metaux

Allongue, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la croissance en films minces de ceramiques SiNxCy:H par depots chimiques en phase vapeur a partir d'organosilazanes

Hatim, Zineb
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude in-situ des proprietes electriques des films de polysiloxane deposee par plasma froid

Montalan, Dominique

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Talebian, Ali-Asghar

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitement plasma de films polyimide en vue de l'amelioration des proprietes d'adhesion

Turban, Guy
Kogoma, Masuhiro
Rhounna, Abdeljahil
Cardinaud, Christophe
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Nantes Univ., 44 (France). Lab. de Physique Corpusculaire

January 1986

SIGLECNRS AR 11192 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Amorphous GaAs thin films

Carchano, Herve,Ed.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Aix-Marseille-3 Univ., 13 - Marseille (France). Lab. de Photoelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 440 (261) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des proprietes physico-chimiques, electriques et optiques de films minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene obtenus par decharge luminescente radio-frequence

Lauque, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 75513 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Claquage electrique de films d'oxyde de polyphenylene realises par voie electrochimique

Adohi, Bibi-J.-P.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation electrique des films de polyamide-imide et de leurs interfaces avec un substrat semiconducteur

Tchangai, Tchaa

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electro-optiques des impuretes vanadium et nickel dans GaAs

Hizem, Neila
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Boher, P.
Pasqualini, F.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquee, 94 - Limeil-Brevannes (France)

January 1987

SIGLECNRS AR 12339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Plasticite de GaAs en fonction du dopage electronique

Boivin, Patrice

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electroniques et optiques des superreseaux GaAs/GaAlAs de petites periodes

Chomette, Andre

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'interface GaAs/electrolyte : apport des mesures de photocapacite et des modifications de surface par depot electrolytique de metaux

Allongue, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la croissance en films minces de ceramiques SiNxCy:H par depots chimiques en phase vapeur a partir d'organosilazanes

Hatim, Zineb
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude in-situ des proprietes electriques des films de polysiloxane deposee par plasma froid

Montalan, Dominique

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Depot plasma dans une vapeur d'organometallique de films minces d'oxydes d'aluminium

Talebian, Ali-Asghar

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitement plasma de films polyimide en vue de l'amelioration des proprietes d'adhesion

Turban, Guy
Kogoma, Masuhiro
Rhounna, Abdeljahil
Cardinaud, Christophe
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Nantes Univ., 44 (France). Lab. de Physique Corpusculaire

January 1986

SIGLECNRS AR 11192 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Amorphous GaAs thin films

Carchano, Herve,Ed.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Aix-Marseille-3 Univ., 13 - Marseille (France). Lab. de Photoelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 440 (261) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des proprietes physico-chimiques, electriques et optiques de films minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene obtenus par decharge luminescente radio-frequence

Lauque, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 75513 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Claquage electrique de films d'oxyde de polyphenylene realises par voie electrochimique

Adohi, Bibi-J.-P.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation electrique des films de polyamide-imide et de leurs interfaces avec un substrat semiconducteur

Tchangai, Tchaa

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electro-optiques des impuretes vanadium et nickel dans GaAs

Hizem, Neila
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Boher, P.
Pasqualini, F.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquee, 94 - Limeil-Brevannes (France)

January 1987

SIGLECNRS AR 12339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Plasticite de GaAs en fonction du dopage electronique

Boivin, Patrice

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electroniques et optiques des superreseaux GaAs/GaAlAs de petites periodes

Chomette, Andre

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'interface GaAs/electrolyte : apport des mesures de photocapacite et des modifications de surface par depot electrolytique de metaux

Allongue, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la croissance en films minces de ceramiques SiNxCy:H par depots chimiques en phase vapeur a partir d'organosilazanes

Hatim, Zineb
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

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