Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Pouysegur, Michel

January 1987

CNRS T 61184 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Conception, réalisation et caractérisation de composants de puissance hyperfréquence de la filière nitrure de gallium

TOUATI, Salim
JAEGER, Jean-Claude de
HOEL, Virginie

January 2007

Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de transistors HEMTs de la ...

Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Collumeau, Jean-Michel

January 1990

SIGLEINIST T 73140 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

Termanini, Mohamed Jalal

January 1987

SIGLECNRS T 61154 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfrequence du transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium

Halkias, Georges

January 1985

SIGLECNRS T 57225 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une nouvelle methode d'interconnexion pour les transistors arseniure de gallium. Application a un microhybride pour application hyperfrequence

Gauville, G
Jourdain, Ph.
FRT Paris (FRANCE)
Radiotechnique Compelec Evreux (FRANCE)

CNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude et realisation du transistor a base permeable en technologie silicium et evaluation en hyperfrequence

Letourneau, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 73331 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

TRASSAERT, Stéphane
CROSNIER, Yves

January 2000

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semico...

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

Caracterisation des transistors a effet de champ GaAs hyperfrequence de puissance en regime non lineaire

Goudelis, Michel
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications, 75 - Paris (France)

January 1981

SIGLEAvailable from Centre de Documentation Scientifique et Technique, CNRS, 26 rue Boyer, 75971 Par...

Linearisation des amplificateurs de puissance a transistors a effet de champ GaAs en hyperfrequences

Loembe, Andre
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1986

CNRS RP 207 (120) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude theorique et experimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor a effet de champ bigrille a l'arseniure de gallium

Wyrwinski, Jacques

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie et procedes de realisation de connecteurs coaxiaux hyperfrequences hermetiques fonctionnant jusqu'a 26 GHz

Dupuy, N.
Wilhem, P.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Radiall, 93 - Rosny-sous-Bois (France)
Societe d'Expansion des Produits Techniques (SEPT), 75 - Paris (France)

January 1982

SIGLECNRS AR 11571 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Pouysegur, Michel

January 1987

CNRS T 61184 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Conception, réalisation et caractérisation de composants de puissance hyperfréquence de la filière nitrure de gallium

TOUATI, Salim
JAEGER, Jean-Claude de
HOEL, Virginie

January 2007

Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de transistors HEMTs de la ...

Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Collumeau, Jean-Michel

January 1990

SIGLEINIST T 73140 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Algani Balbinot, Catherine

January 1990

SIGLEINIST T 73982 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance

Termanini, Mohamed Jalal

January 1987

SIGLECNRS T 61154 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfrequence du transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium

Halkias, Georges

January 1985

SIGLECNRS T 57225 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une nouvelle methode d'interconnexion pour les transistors arseniure de gallium. Application a un microhybride pour application hyperfrequence

Gauville, G
Jourdain, Ph.
FRT Paris (FRANCE)
Radiotechnique Compelec Evreux (FRANCE)

CNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude et realisation du transistor a base permeable en technologie silicium et evaluation en hyperfrequence

Letourneau, Pascal

January 1990

SIGLEINIST T 73331 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

TRASSAERT, Stéphane
CROSNIER, Yves

January 2000

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semico...

Conception, realisation et caracterisation d'un transistor a heterojonction GaAs/GaAlAs

Riet, Muriel

January 1985

SIGLECNRS T 57033 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Granier, Hugues

September 1995

Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...

Caracterisation des transistors a effet de champ GaAs hyperfrequence de puissance en regime non lineaire

Goudelis, Michel
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications, 75 - Paris (France)

January 1981

SIGLEAvailable from Centre de Documentation Scientifique et Technique, CNRS, 26 rue Boyer, 75971 Par...

Linearisation des amplificateurs de puissance a transistors a effet de champ GaAs en hyperfrequences

Loembe, Andre
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1986

CNRS RP 207 (120) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude theorique et experimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor a effet de champ bigrille a l'arseniure de gallium

Wyrwinski, Jacques

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Technologie et procedes de realisation de connecteurs coaxiaux hyperfrequences hermetiques fonctionnant jusqu'a 26 GHz

Dupuy, N.
Wilhem, P.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Radiall, 93 - Rosny-sous-Bois (France)
Societe d'Expansion des Produits Techniques (SEPT), 75 - Paris (France)

January 1982

SIGLECNRS AR 11571 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Pouysegur, Michel

January 1987

CNRS T 61184 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Conception, réalisation et caractérisation de composants de puissance hyperfréquence de la filière nitrure de gallium

TOUATI, Salim
JAEGER, Jean-Claude de
HOEL, Virginie

January 2007

Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de transistors HEMTs de la ...

Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction GaAs/GaAlAs

Collumeau, Jean-Michel

January 1990

SIGLEINIST T 73140 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception, optimisation et realisation de melangeurs hyperfrequences a transistor a effet de champ en arseniure de gallium

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