Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Fiabilite analytique des circuits integres sur arseniure de gallium

Crudo, Patrick

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82525 / INIST-CNRS -...

Etude des surfaces physiques des semiconducteurs III-V pour l'elaboration de circuits IC ou OEIC

Tchandjou, Nkeuna

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81038 / INIST-CNRS ...

Synthese et etude d'endonucleases artificielles

Mccort, Gary

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 80588 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Cordier, Yvon

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82191 / INIST-CNRS ...

Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et etudes des contraintes dans ces heterostructures

Stoehr, Michele

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81039 / INIST-CNRS ...

Etude des proprietes electroniques de semiconducteurs a base de In_2O_3

Wen, Shi-Jie

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83862 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Realisation et etude des proprietes optiques de boites quantiques de semiconducteurs

Patillon, Jean-Noel
Delalande, Claude
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Philips, 94 - Limeil-Brevannes (France). Lab. d'Electronique

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14823 / INIST-CNRS - ...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et proprietes optiques d'heterostructures a base de CdHgTe

Ulmer, Laurent

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84361 / INIST-CNRS -...

Synthese et etude de materiaux organiques a raie RPE etroite

Michel, Philippe

January 1989

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 83586 / INIST-CNRS ...

Proprietes physiques et qualite des condensateurs electroniques au tantale

Lecuyer, Sylvie

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79244 / INIST-CNRS -...

Effets d'orientations sur la structure electronique des puits quantiques GaAs-GaAlAs

El Khalifi, Youness

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 78823 / INIST-CNRS ...

Conception, realisation et caracterisation des amplificateurs de puissance en technologie bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Mezui-Mintsa, Raphael

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83046 / INIST-CNRS -...

Caracterisations electriques d'heterostructures de semiconducteur

Letartre, Xavier

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84576 / INIST-CNRS -...

Fiabilite analytique des circuits integres sur arseniure de gallium

Crudo, Patrick

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82525 / INIST-CNRS -...

Etude des surfaces physiques des semiconducteurs III-V pour l'elaboration de circuits IC ou OEIC

Tchandjou, Nkeuna

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81038 / INIST-CNRS ...

Synthese et etude d'endonucleases artificielles

Mccort, Gary

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 80588 / INIST-CNRS -...

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Cordier, Yvon

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82191 / INIST-CNRS ...

Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et etudes des contraintes dans ces heterostructures

Stoehr, Michele

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81039 / INIST-CNRS ...

Etude des proprietes electroniques de semiconducteurs a base de In_2O_3

Wen, Shi-Jie

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83862 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Realisation et etude des proprietes optiques de boites quantiques de semiconducteurs

Patillon, Jean-Noel
Delalande, Claude
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Philips, 94 - Limeil-Brevannes (France). Lab. d'Electronique

January 1990

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14823 / INIST-CNRS - ...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et proprietes optiques d'heterostructures a base de CdHgTe

Ulmer, Laurent

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84361 / INIST-CNRS -...

Synthese et etude de materiaux organiques a raie RPE etroite

Michel, Philippe

January 1989

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 83586 / INIST-CNRS ...

Proprietes physiques et qualite des condensateurs electroniques au tantale

Lecuyer, Sylvie

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79244 / INIST-CNRS -...

Effets d'orientations sur la structure electronique des puits quantiques GaAs-GaAlAs

El Khalifi, Youness

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 78823 / INIST-CNRS ...

Conception, realisation et caracterisation des amplificateurs de puissance en technologie bipolaire a heterojonction GaAlAs/GaAs

Mezui-Mintsa, Raphael

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83046 / INIST-CNRS -...

Caracterisations electriques d'heterostructures de semiconducteur

Letartre, Xavier

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 84576 / INIST-CNRS -...

Fiabilite analytique des circuits integres sur arseniure de gallium

Crudo, Patrick

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82525 / INIST-CNRS -...

Etude des surfaces physiques des semiconducteurs III-V pour l'elaboration de circuits IC ou OEIC

Tchandjou, Nkeuna

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81038 / INIST-CNRS ...

Synthese et etude d'endonucleases artificielles

Mccort, Gary

January 1991

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Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs GaAs/Ga_xIn_1_-_xP realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

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