Ask
Search
My library

About
Statistics
Contact
Data Protection
Accessibility
Imprint
Changelog
Frontend: v1.31.3
Backend: v1.11.4

We use cookies to provide a better user experience.

Data Protection

Modelisation statique des transistors de faibles dimensions pour la CAO

Rauber, Bruno

Publication date

January 1984

Abstract

SIGLECNRS T 56161 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Extracted data

Related items

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

Ramdani, Mohammed

January 1989

SIGLECNRS T 67824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation du transistor MESFET GaAs utilise en regime de forts signaux. Application a la conception d'un limiteur de puissance monolithique a distorsion de phase minimale

Parra, Thierry

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81789 / INIST-CNRS -...

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS RP 207 (209) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modele a charges distribuees (M C D) du transistor MOS

Charlot, Jean-Jacques
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1986

SIGLECNRS RP 207 (122) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Sangouard, Patrick

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modele facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en electronique de puissance

Benchaib Bouanane, Khadidja
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77850 / INIST-CNRS -...

Etude de la variation du pas de calcul dans la simulation des convertisseurs statiques (logiciel S.C.R.I.P.T.) : application a la modelisation de convertisseurs a transistors de puissance

Martins, Denizar Cruz
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59652 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Mazaleyrat, Eric

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Proprietes dynamiques des transistors MOS de puissance

Belabadia, Mohammed

January 1988

SIGLECNRS T 63386 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse statistique des circuits integres: caracterisation des modeles

Romefort Villedieu, Dominique

January 1990

SIGLEINIST T 73975 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

Ramdani, Mohammed

January 1989

SIGLECNRS T 67824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation du transistor MESFET GaAs utilise en regime de forts signaux. Application a la conception d'un limiteur de puissance monolithique a distorsion de phase minimale

Parra, Thierry

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81789 / INIST-CNRS -...

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLEINIST T 77152 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains, non dope en mode d'accumulation

Amrouche, Abdelkader

January 1990

SIGLEINIST T 73593 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation distribuee des transistors MOS submicroniques

Toutain, Sophie
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1989

SIGLECNRS RP 207 (209) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modele a charges distribuees (M C D) du transistor MOS

Charlot, Jean-Jacques
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1986

SIGLECNRS RP 207 (122) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S

Ramsi, Abdelkrim
Ecole Centrale des Arts et Manufactures, 92 - Chatenay-Malabry (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82339 / INIST-CNRS -...

Modelisation des transistors polysilicium en couches minces sur isolant : conception et realisation d'ecrans plats a cristaux liquides et matrice active

Sangouard, Patrick

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modele facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en electronique de puissance

Benchaib Bouanane, Khadidja
Institut National Polytechnique de Toulouse (INPT), 31 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77850 / INIST-CNRS -...

Etude de la variation du pas de calcul dans la simulation des convertisseurs statiques (logiciel S.C.R.I.P.T.) : application a la modelisation de convertisseurs a transistors de puissance

Martins, Denizar Cruz
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59652 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors MOS silicium sur saphir

Mazaleyrat, Eric

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la modelisation des transistors haute frequence

Zimmer, Thomas

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83857 / INIST-CNRS -...

Proprietes dynamiques des transistors MOS de puissance

Belabadia, Mohammed

January 1988

SIGLECNRS T 63386 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse statistique des circuits integres: caracterisation des modeles

Romefort Villedieu, Dominique

January 1990

SIGLEINIST T 73975 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Nouvelles methodes de caracterisation et modeles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

Haddara, HishamS.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

Ramdani, Mohammed

January 1989

SIGLECNRS T 67824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Modelisation du transistor MESFET GaAs utilise en regime de forts signaux. Application a la conception d'un limiteur de puissance monolithique a distorsion de phase minimale

Parra, Thierry

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81789 / INIST-CNRS -...