Contribution a l'etude des diodes Schottky a temps de transit

Etude de la densite des etats localises dans le silicium amorphe hydrogene (intrinseque ou dope) a partir de la mesure d'admittance de diodes schottky en regime quasi-stationnaire

Hassani, Nadjib

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques des superreseaux metalliques et semiconducteurs

Rahmani, Moulay-Driss

January 1990

SIGLEINIST T 75881 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du polyacetylene dope chimiquement et electrochimiquement par des accepteurs d'electrons

Begin, D.

January 1985

SIGLECNRS T 57981 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de diodes Schottky elaborees a partir de polymeres electroactifs

Boudemagh, Farouk

January 1986

SIGLECNRS T 59949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des phenomenes de transport dans les contacts Schottky

Vidal, Laetitia
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1985

SIGLECNRS T 58080 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la technologie bipolaire STL : caracterisation, modelisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si

Caille, Denis

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution des proprietes de surfaces reelles et de la nature du metal aux caracteristiques electriques des diodes Schottky: Au, Ag et In/n-GaP

Boumediene, Mohamed

January 1990

SIGLEINIST T 75812 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes Schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises

Abachi, Tahar

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

C.A.O. des melangeurs a Diode Schottky

Baucells Boix, J.
Perichon, R.A.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 252 (344) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contributions a l'etude d'un recepteur heterodyne en ondes submillimetriques utilisant un melangeur a diode Schottky

Boucenna, Nourreddine

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes optiques et electriques de diodes MIM a structure plane

Ridouane, Hamid

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du bruit de fond dans les composants: diodes Gunn AsGa et transistor bipolaire Si

Elamri, Abdelkebir

January 1990

SIGLEINIST T 75821 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etudes theorique et experimentale des diodes a effet tunnel resonnant. Utilisation en oscilltion et en multiplication

Bouregba, Rachid

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79139 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des diodes Gunn InP 94 GHz

Brylinski, Christian

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79142 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude electrique des defauts induits par les recuits electroniques pulses

Olivie, Francois
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1985

SIGLECNRS T 58044 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la densite des etats localises dans le silicium amorphe hydrogene (intrinseque ou dope) a partir de la mesure d'admittance de diodes schottky en regime quasi-stationnaire

Hassani, Nadjib

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques des superreseaux metalliques et semiconducteurs

Rahmani, Moulay-Driss

January 1990

SIGLEINIST T 75881 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du polyacetylene dope chimiquement et electrochimiquement par des accepteurs d'electrons

Begin, D.

January 1985

SIGLECNRS T 57981 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de diodes Schottky elaborees a partir de polymeres electroactifs

Boudemagh, Farouk

January 1986

SIGLECNRS T 59949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des phenomenes de transport dans les contacts Schottky

Vidal, Laetitia
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1985

SIGLECNRS T 58080 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la technologie bipolaire STL : caracterisation, modelisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si

Caille, Denis

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution des proprietes de surfaces reelles et de la nature du metal aux caracteristiques electriques des diodes Schottky: Au, Ag et In/n-GaP

Boumediene, Mohamed

January 1990

SIGLEINIST T 75812 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Diodes Schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises

Abachi, Tahar

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

C.A.O. des melangeurs a Diode Schottky

Baucells Boix, J.
Perichon, R.A.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1986

SIGLECNRS RP 252 (344) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contributions a l'etude d'un recepteur heterodyne en ondes submillimetriques utilisant un melangeur a diode Schottky

Boucenna, Nourreddine

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes optiques et electriques de diodes MIM a structure plane

Ridouane, Hamid

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du bruit de fond dans les composants: diodes Gunn AsGa et transistor bipolaire Si

Elamri, Abdelkebir

January 1990

SIGLEINIST T 75821 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etudes theorique et experimentale des diodes a effet tunnel resonnant. Utilisation en oscilltion et en multiplication

Bouregba, Rachid

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79139 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des diodes Gunn InP 94 GHz

Brylinski, Christian

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79142 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude electrique des defauts induits par les recuits electroniques pulses

Olivie, Francois
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1985

SIGLECNRS T 58044 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la densite des etats localises dans le silicium amorphe hydrogene (intrinseque ou dope) a partir de la mesure d'admittance de diodes schottky en regime quasi-stationnaire

Hassani, Nadjib

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes electroniques des superreseaux metalliques et semiconducteurs

Rahmani, Moulay-Driss

January 1990

SIGLEINIST T 75881 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du polyacetylene dope chimiquement et electrochimiquement par des accepteurs d'electrons

Begin, D.

January 1985

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Contribution a l'etude des diodes Schottky a temps de transit

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