Etude de la transition cristal-amorphe induite par implantation ionique dans l'arseniure de gallium

Caracterisation physico-chimique de ceramiques thermomecaniques traitees par implantation ionique

Donnet, Christophe

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77824 / INIST-CNRS -...

Densite electronique de siliciures metalliques et de composes d'insertion du graphite au cesium etudiee par spectrometrie d'absorption X en rayonnement synchrotron

Codazzi, Veronique

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79305 / INIST-CNRS -...

Materiaux presentant une transition solide-solide entre 18 et 25 C et application dans le batiment

Achard, Patrick
Ilbizian, Pierre
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Ecole Nationale Superieure des Mines de Paris, 06 - Valbonne (France). Centre d'Energetique

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 400 (1578) / INIST-CN...

Cristallogenese de l'arseniure de gallium par la technique Czochralski sous basse pression. Contribution a l'etude de la formation des defauts dans le materiau non dope

Guilbert, Laurent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79716 / INIST-CNRS -...

Etude de la gravure photochimique et photo-electrochimique de l'arseniure de gallium

Achard, Michel
Ecole Centrale de Lyon (ECL), 69 - Ecully (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81323 / INIST-CNRS -...

Etude et realisation de transistors bipolaires PNP a homojonction sur arsensiure de gallium par implantation ionique

Ferreira, Ana Suely

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81793 / INIST-CNRS -...

Fiabilite analytique des circuits integres sur arseniure de gallium

Crudo, Patrick

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82525 / INIST-CNRS -...

Developpement de l'implantation ionique en tant que traitement de surface de metaux et ceramiques

Institut National de Physique Nucleaire et de Physique des Particules (IN2P3), 69 - Villeurbanne (France). Inst. de Physique Nucleaire de Lyon
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14327 / INIST-CNRS - ...

Transition cristal-amorphe dans le silicium sous bombardement d'ions legers

Roumili, Abdelkrim

January 1990

SIGLEINIST T 74575 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une distribution de porteurs hors d'equilibre dans l'arseniure de gallium par spectroscopie femtoseconde

Foing, Jean-Paul
Ecole Polytechnique, 91 - Palaiseau (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83353 / INIST-CNRS -...

Etude et caracterisation des phases cristallines et mesomorphes des savons de metaux de transition

Ibn-Elhaj, Mohammed

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83808 / INIST-CNRS -...

Amelioration des proprietes de surface des materiaux par implantation ionique

Robelet, Marc
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Unirec, 42 - Firminy (France)

January 1985

Available at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14642 / INIST-CNRS - Insti...

Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium

Thevenin, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 80947 / INIST-CNRS ...

Alliages amorphes a base d'aluminium

Dermarkar, S.
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Cegedur Pechiney, 38 - Voreppe (France)
La Carbone-Lorraine, 92 - Gennevilliers (France)

January 1985

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14862 (1); AR 14862 (...

Etude de la complexation metallique de gels d'acide polyacrylique

Schloesser-Becker, Christine

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 80903 / INIST-CNRS ...

Caracterisation physico-chimique de ceramiques thermomecaniques traitees par implantation ionique

Donnet, Christophe

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77824 / INIST-CNRS -...

Densite electronique de siliciures metalliques et de composes d'insertion du graphite au cesium etudiee par spectrometrie d'absorption X en rayonnement synchrotron

Codazzi, Veronique

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79305 / INIST-CNRS -...

Materiaux presentant une transition solide-solide entre 18 et 25 C et application dans le batiment

Achard, Patrick
Ilbizian, Pierre
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Ecole Nationale Superieure des Mines de Paris, 06 - Valbonne (France). Centre d'Energetique

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 400 (1578) / INIST-CN...

Cristallogenese de l'arseniure de gallium par la technique Czochralski sous basse pression. Contribution a l'etude de la formation des defauts dans le materiau non dope

Guilbert, Laurent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79716 / INIST-CNRS -...

Etude de la gravure photochimique et photo-electrochimique de l'arseniure de gallium

Achard, Michel
Ecole Centrale de Lyon (ECL), 69 - Ecully (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81323 / INIST-CNRS -...

Etude et realisation de transistors bipolaires PNP a homojonction sur arsensiure de gallium par implantation ionique

Ferreira, Ana Suely

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 81793 / INIST-CNRS -...

Fiabilite analytique des circuits integres sur arseniure de gallium

Crudo, Patrick

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82525 / INIST-CNRS -...

Developpement de l'implantation ionique en tant que traitement de surface de metaux et ceramiques

Institut National de Physique Nucleaire et de Physique des Particules (IN2P3), 69 - Villeurbanne (France). Inst. de Physique Nucleaire de Lyon
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14327 / INIST-CNRS - ...

Transition cristal-amorphe dans le silicium sous bombardement d'ions legers

Roumili, Abdelkrim

January 1990

SIGLEINIST T 74575 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'une distribution de porteurs hors d'equilibre dans l'arseniure de gallium par spectroscopie femtoseconde

Foing, Jean-Paul
Ecole Polytechnique, 91 - Palaiseau (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83353 / INIST-CNRS -...

Etude et caracterisation des phases cristallines et mesomorphes des savons de metaux de transition

Ibn-Elhaj, Mohammed

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 83808 / INIST-CNRS -...

Amelioration des proprietes de surface des materiaux par implantation ionique

Robelet, Marc
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Unirec, 42 - Firminy (France)

January 1985

Available at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14642 / INIST-CNRS - Insti...

Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium

Thevenin, Philippe

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 80947 / INIST-CNRS ...

Alliages amorphes a base d'aluminium

Dermarkar, S.
Ministere de la Recherche et de l'Espace (MRE), 75 - Paris (France)
Cegedur Pechiney, 38 - Voreppe (France)
La Carbone-Lorraine, 92 - Gennevilliers (France)

January 1985

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14862 (1); AR 14862 (...

Etude de la complexation metallique de gels d'acide polyacrylique

Schloesser-Becker, Christine

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 80903 / INIST-CNRS ...

Caracterisation physico-chimique de ceramiques thermomecaniques traitees par implantation ionique

Donnet, Christophe

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77824 / INIST-CNRS -...

Densite electronique de siliciures metalliques et de composes d'insertion du graphite au cesium etudiee par spectrometrie d'absorption X en rayonnement synchrotron

Codazzi, Veronique

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79305 / INIST-CNRS -...

Materiaux presentant une transition solide-solide entre 18 et 25 C et application dans le batiment

Achard, Patrick
Ilbizian, Pierre
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Ecole Nationale Superieure des Mines de Paris, 06 - Valbonne (France). Centre d'Energetique

January 1991

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 400 (1578) / INIST-CN...

Etude de la transition cristal-amorphe induite par implantation ionique dans l'arseniure de gallium

Abstract

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