Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Heteroepitaxie de l'Arseniure de Gallium sur Silicium : croissance, proprietes structurales et electroniques

Freundlich, Alexandre

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la face (110) de l'arseniure de gallium par microscopie a effet tunnel. Contribution a l'etude des defauts

Siboulet, Olivier

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78772 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des equilibres contraints en science des materiaux : couches heteroepitaxiees, couches implantees dans le GaAs : critere de stabilite de composes sollicites

Bellon, Pascal

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite colloiedale de la biere

Malanda Mbaka

January 1984

SIGLECNRS T 55413 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la stabilisation en temperature des composants a ondes acoustique de surface sur arseniure de gallium

Faouzi, Najib

January 1984

SIGLECNRS T 55339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Une contribution a l'etude de la stabilite en analyse factorielle

Benasseni, Jacques

January 1984

SIGLECNRS T 55304 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'influence du dopage electronique sur la plasticite de l'Arseniure de Gallium

Zongo, Innocent

January 1990

SIGLEINIST T 74822 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mecanisme de deformation plastique de l'arseniure de gallium sous tres forte contrainte et a temperature ambiante

Androussi, Yidir

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des defauts profonds dans l'arseniure de gallium implante en oxygene et en oxygene et silicium, par spectroscopie capacitive

Guennouni, Zoheir

January 1991

INIST T 76854 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilisation des systemes par perturbations

Vidal, Olivier
Office National d'Etudes et de Recherches Aerospatiales Chatillon (FRANCE)

January 1984

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la relaxation de spin electronique dans l'arseniure de gallium de type p

Zerrouati, Kaerdin

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des defauts lacunaires par annihilation de position dans l'arseniure de gallium

Stucky, Michel

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie de l'Arseniure de Gallium sur Silicium : croissance, proprietes structurales et electroniques

Freundlich, Alexandre

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la face (110) de l'arseniure de gallium par microscopie a effet tunnel. Contribution a l'etude des defauts

Siboulet, Olivier

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78772 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des equilibres contraints en science des materiaux : couches heteroepitaxiees, couches implantees dans le GaAs : critere de stabilite de composes sollicites

Bellon, Pascal

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite colloiedale de la biere

Malanda Mbaka

January 1984

SIGLECNRS T 55413 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la stabilisation en temperature des composants a ondes acoustique de surface sur arseniure de gallium

Faouzi, Najib

January 1984

SIGLECNRS T 55339 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Une contribution a l'etude de la stabilite en analyse factorielle

Benasseni, Jacques

January 1984

SIGLECNRS T 55304 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'influence du dopage electronique sur la plasticite de l'Arseniure de Gallium

Zongo, Innocent

January 1990

SIGLEINIST T 74822 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mecanisme de deformation plastique de l'arseniure de gallium sous tres forte contrainte et a temperature ambiante

Androussi, Yidir

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des defauts profonds dans l'arseniure de gallium implante en oxygene et en oxygene et silicium, par spectroscopie capacitive

Guennouni, Zoheir

January 1991

INIST T 76854 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilisation des systemes par perturbations

Vidal, Olivier
Office National d'Etudes et de Recherches Aerospatiales Chatillon (FRANCE)

January 1984

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la relaxation de spin electronique dans l'arseniure de gallium de type p

Zerrouati, Kaerdin

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des defauts lacunaires par annihilation de position dans l'arseniure de gallium

Stucky, Michel

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie de l'Arseniure de Gallium sur Silicium : croissance, proprietes structurales et electroniques

Freundlich, Alexandre

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la face (110) de l'arseniure de gallium par microscopie a effet tunnel. Contribution a l'etude des defauts

Siboulet, Olivier

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78772 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des equilibres contraints en science des materiaux : couches heteroepitaxiees, couches implantees dans le GaAs : critere de stabilite de composes sollicites

Bellon, Pascal

January 1989

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Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Abstract

Extracted data

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