Photodecomposition sensibilisee au mercure du monosilane (Hg-Photo-CVD) : application au depot en couches minces de silicium amorphe hydrogene (a-Si : H)

L'hypericine et le mesodiphenylhelianthrene : etude des proprietes photophysiques et des mecanismes de formation photosensibilisee de l'oxygene singulet

Lazortchak, Nelia

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photoionisation et photofragmentation d'agregats d'alcalins

Roux, Jean-Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage photoassiste par laser excimere du silicium place sous atmosphere de gaz dopant

Foulon, Francois

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Sensibilisation de polysiloxanes photoreticulables

Randrianarisoa Ramanantsoa, Lili

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

On the preparation and growth of a-Si:H thin films by Hg-sensitised photoche mical vapor deposition at low temperature

Barhdadi, Abdelfattah

September 2005

Résumé A propos de la préparation et la croissance de couches m inces de a-Si:H à basse tem pératur...

Depot de nitrure de silicium par photosensibilisation assistee par le mercure a 254 nanometre du melange ammoniac/silane. Modelisation et diagnostics de la phase gazeuse

Allain, Bruno
Ecole Polytechnique, 91 - Palaiseau (France)

January 1990

SIGLEINIST T 74675 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'hydrogenation photocathodique de Si(p) dans l'acide fluorhydrique HF 5%

De Mierry, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

LE SILICIUM AMORPHE : UN NOUVEAU SEMICONDUCTEUR A APPLICATIONS PRATIQUES

I. SOLOMON

January 1978

Le silicium amorphe, obtenu par décomposition du gaz silane SiH4 dans une décharge radio-fréquence e...

Photo-CVD of hydrogenated amorphous silicon and dioxide using an external deuterium lamp

Bhatnagar, Y.K

January 1989

SIGLEAvailable from British Library Document Supply Centre- DSC:D59711 / BLDSC - British Library Doc...

Contribution a l'etude de la photoionisation d'huiles silicones

Baron, Pierre-Louis

January 1987

SIGLECNRS T 61197 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de photopiles au silicium a contacts interdigites en face arriere pour la conversion du rayonnement solaire fortement concentre

Stehelin, Gerard

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electroniques du silicium amorphe hydrogene : courants limites par charge d'espace et photoconduction

Haddab, Karima

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation des paramètres de dépôt de a-Si:H dans la technique Hg-photo-CVDK

Boko, AKA

October 2010

Optimizing deposition parameters of a-Si:H in Hg-photo-CVD technology The Hg-photo-CVD technique, kn...

Rapport GER SILICIUM. Filiere Si multicristallin. Analyse du materiau Polyx. Amelioration des photopiles : recuit rapide et passivation. Techniques photoassistees par laser UV

Fogarassy, E.
Muller, J.C.
Stoquert, J.P.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et les Matieres Premieres (PIRSEM)
Institut National de Physique Nucleaire et de Physique des Particules (IN2P3), 67 - Strasbourg (France). Lab. phase

January 1988

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 440 (355) / INIST-CNR...

Aspects fondamentaux des techniques de photoprotection basees sur les derives du benzylidene camphre et de la tetrahydrofuranone

Moneyron Boubal, Helene

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82289 / INIST-CNRS ...

L'hypericine et le mesodiphenylhelianthrene : etude des proprietes photophysiques et des mecanismes de formation photosensibilisee de l'oxygene singulet

Lazortchak, Nelia

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photoionisation et photofragmentation d'agregats d'alcalins

Roux, Jean-Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage photoassiste par laser excimere du silicium place sous atmosphere de gaz dopant

Foulon, Francois

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Sensibilisation de polysiloxanes photoreticulables

Randrianarisoa Ramanantsoa, Lili

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

On the preparation and growth of a-Si:H thin films by Hg-sensitised photoche mical vapor deposition at low temperature

Barhdadi, Abdelfattah

September 2005

Résumé A propos de la préparation et la croissance de couches m inces de a-Si:H à basse tem pératur...

Depot de nitrure de silicium par photosensibilisation assistee par le mercure a 254 nanometre du melange ammoniac/silane. Modelisation et diagnostics de la phase gazeuse

Allain, Bruno
Ecole Polytechnique, 91 - Palaiseau (France)

January 1990

SIGLEINIST T 74675 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'hydrogenation photocathodique de Si(p) dans l'acide fluorhydrique HF 5%

De Mierry, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

LE SILICIUM AMORPHE : UN NOUVEAU SEMICONDUCTEUR A APPLICATIONS PRATIQUES

I. SOLOMON

January 1978

Le silicium amorphe, obtenu par décomposition du gaz silane SiH4 dans une décharge radio-fréquence e...

Photo-CVD of hydrogenated amorphous silicon and dioxide using an external deuterium lamp

Bhatnagar, Y.K

January 1989

SIGLEAvailable from British Library Document Supply Centre- DSC:D59711 / BLDSC - British Library Doc...

Contribution a l'etude de la photoionisation d'huiles silicones

Baron, Pierre-Louis

January 1987

SIGLECNRS T 61197 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de photopiles au silicium a contacts interdigites en face arriere pour la conversion du rayonnement solaire fortement concentre

Stehelin, Gerard

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electroniques du silicium amorphe hydrogene : courants limites par charge d'espace et photoconduction

Haddab, Karima

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Optimisation des paramètres de dépôt de a-Si:H dans la technique Hg-photo-CVDK

Boko, AKA

October 2010

Optimizing deposition parameters of a-Si:H in Hg-photo-CVD technology The Hg-photo-CVD technique, kn...

Rapport GER SILICIUM. Filiere Si multicristallin. Analyse du materiau Polyx. Amelioration des photopiles : recuit rapide et passivation. Techniques photoassistees par laser UV

Fogarassy, E.
Muller, J.C.
Stoquert, J.P.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et les Matieres Premieres (PIRSEM)
Institut National de Physique Nucleaire et de Physique des Particules (IN2P3), 67 - Strasbourg (France). Lab. phase

January 1988

SIGLEAvailable at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 440 (355) / INIST-CNR...

Aspects fondamentaux des techniques de photoprotection basees sur les derives du benzylidene camphre et de la tetrahydrofuranone

Moneyron Boubal, Helene

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82289 / INIST-CNRS ...

L'hypericine et le mesodiphenylhelianthrene : etude des proprietes photophysiques et des mecanismes de formation photosensibilisee de l'oxygene singulet

Lazortchak, Nelia

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photoionisation et photofragmentation d'agregats d'alcalins

Roux, Jean-Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage photoassiste par laser excimere du silicium place sous atmosphere de gaz dopant

Foulon, Francois

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photodecomposition sensibilisee au mercure du monosilane (Hg-Photo-CVD) : application au depot en couches minces de silicium amorphe hydrogene (a-Si : H)

Abstract

Extracted data

Photodecomposition sensibilisee au mercure du monosilane (Hg-Photo-CVD) : application au depot en couches minces de silicium amorphe hydrogene (a-Si : H)

Abstract

Extracted data

Related items

Related items