Influence de recuits a 425C sur des proprietes electriques du silicium polycristallin : action d'une interface aluminium-silicium

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Selmani, Larbi
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1985

SIGLECNRS T 56937 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

Sakri, Abdallah

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude optique et electrique de silicium jusqu'a 18 gigapascals : cristallogenese et caracterisation des phases silicium trois et silicium quatre stables a l'ambiante

Mokhtari, El Hassane

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence du carbone sur les defauts structuraux et sur l'activite electrique du silicium polycristallin HEM

Cabanel, Cecil

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'influence des impuretes metalliques sur l'activite electrique d'un bicristal de silicium par DLTS et EBIC

Damecourt, Philippe

January 1990

SIGLEINIST T 73779 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence des traitements thermomecaniques sur la ductilite des alliages d'aluminium 2124 et renforces par des carbures de silicium

Organista, Antoine
Ecole Nationale Superieure des Mines, 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEINIST T 71949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence, origine et passivation de defauts cristallographiques dans du silicium polycristallin

Ammor, Larbi

January 1984

SIGLET 56036 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Effet getter dans le silicium poly- et bicristallin : interaction de l'or et de l'oxygene avec les impuretes metalliques

Amarray, Elhoussine

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence de l'aluminium sur les proprietes electriques des joints

Laval, Jean-Yves (ed.)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Chimie et Microstructures du Solide Mineral

January 1983

CNRS RP 440 (244) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude experimentale et modelisation de la conduction electrique dans des couches de silicium polycristallin deposees par LPCVD, dopees bore ou arsenic par implantation ionique et soumises a differents traitements thermiques

Hadjoudja, Bouzid

January 1985

SIGLECNRS T 58288 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et proprietes electriques

Akani, Mohamed

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes de conduction ionique de reseaux polyethers reticules par hydrosilylation : influence du noeud siloxane

Lestel Carbonaro, Laurence
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'interaction entre une ligne interdigitee et une onde de charge d'espace dans du silicium haute resistivite

Elkhoury, Tanos
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence de couches d'aluminium déposées en face arrière sur des cellules photovoltaïques au silicium cristallin

GATTO, Jean-François
MARTINUZZI, Santo

January 2002

L'industriel Photowatt cherche à réduire les épaisseurs de ses cellules afin de réaliser une économi...

Influence des traitements technologiques sur la qualite et la tenue aux irradiations de la base de photopiles au silicium

Rebiai, Saieda

January 1985

CNRS T 58058 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Selmani, Larbi
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1985

SIGLECNRS T 56937 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

Sakri, Abdallah

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude optique et electrique de silicium jusqu'a 18 gigapascals : cristallogenese et caracterisation des phases silicium trois et silicium quatre stables a l'ambiante

Mokhtari, El Hassane

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence du carbone sur les defauts structuraux et sur l'activite electrique du silicium polycristallin HEM

Cabanel, Cecil

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'influence des impuretes metalliques sur l'activite electrique d'un bicristal de silicium par DLTS et EBIC

Damecourt, Philippe

January 1990

SIGLEINIST T 73779 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence des traitements thermomecaniques sur la ductilite des alliages d'aluminium 2124 et renforces par des carbures de silicium

Organista, Antoine
Ecole Nationale Superieure des Mines, 75 - Paris (France)

January 1990

SIGLEINIST T 71949 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence, origine et passivation de defauts cristallographiques dans du silicium polycristallin

Ammor, Larbi

January 1984

SIGLET 56036 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Effet getter dans le silicium poly- et bicristallin : interaction de l'or et de l'oxygene avec les impuretes metalliques

Amarray, Elhoussine

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence de l'aluminium sur les proprietes electriques des joints

Laval, Jean-Yves (ed.)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Chimie et Microstructures du Solide Mineral

January 1983

CNRS RP 440 (244) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude experimentale et modelisation de la conduction electrique dans des couches de silicium polycristallin deposees par LPCVD, dopees bore ou arsenic par implantation ionique et soumises a differents traitements thermiques

Hadjoudja, Bouzid

January 1985

SIGLECNRS T 58288 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et proprietes electriques

Akani, Mohamed

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes de conduction ionique de reseaux polyethers reticules par hydrosilylation : influence du noeud siloxane

Lestel Carbonaro, Laurence
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de l'interaction entre une ligne interdigitee et une onde de charge d'espace dans du silicium haute resistivite

Elkhoury, Tanos
Institut National Polytechnique, 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence de couches d'aluminium déposées en face arrière sur des cellules photovoltaïques au silicium cristallin

GATTO, Jean-François
MARTINUZZI, Santo

January 2002

L'industriel Photowatt cherche à réduire les épaisseurs de ses cellules afin de réaliser une économi...

Influence des traitements technologiques sur la qualite et la tenue aux irradiations de la base de photopiles au silicium

Rebiai, Saieda

January 1985

CNRS T 58058 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Selmani, Larbi
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1985

SIGLECNRS T 56937 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques

Sakri, Abdallah

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude optique et electrique de silicium jusqu'a 18 gigapascals : cristallogenese et caracterisation des phases silicium trois et silicium quatre stables a l'ambiante

Mokhtari, El Hassane

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Influence de recuits a 425C sur des proprietes electriques du silicium polycristallin : action d'une interface aluminium-silicium

Abstract

Extracted data

Influence de recuits a 425C sur des proprietes electriques du silicium polycristallin : action d'une interface aluminium-silicium

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