Epitaxie "par jets moleculaires sur GaAs des composes du rhodium Rh2_As et RhGa"

Conception et elaboration en epitaxie par jets moleculaires de multicouches (Ga,Al)As-(Ca,Sr)F_2 pour application optique

Requena, Philippe

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81589 / INIST-CNRS - Ins...

Realisation de couches minces monocristallines de GaAs

Fontaine, C.
Fabre, N.
Munoz-Yaque, A. (ed.)
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 31 - Toulouse (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur la Prevision et la Surveillance des Eruptions Volcaniques

January 1983

CNRS RP 440 (207) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Berrabah, Meriem

January 1985

SIGLECNRS T 57742 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arseniure de gallium epitaxiees par jets moleculaires

Cavalieri, Sylvain

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Cordier, Yvon

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82191 / INIST-CNRS ...

Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de ZnTe sur GaAs(001): une etude par diffraction de rayons-X sous incidence rasante

Etgens, Victor

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79724 / INIST-CNRS -...

Conception et elaboration en epitaxie par jets moleculaires de multicouches (Ga,Al)As-(Ca,Sr)F_2 pour application optique

Requena, Philippe

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81589 / INIST-CNRS - Ins...

Realisation de couches minces monocristallines de GaAs

Fontaine, C.
Fabre, N.
Munoz-Yaque, A. (ed.)
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 31 - Toulouse (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur la Prevision et la Surveillance des Eruptions Volcaniques

January 1983

CNRS RP 440 (207) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Berrabah, Meriem

January 1985

SIGLECNRS T 57742 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaire d'heterostructures GaAs/compose metallique/GaAs

Durel, Vincent

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79445 / INIST-CNRS -...

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arseniure de gallium epitaxiees par jets moleculaires

Cavalieri, Sylvain

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs; realisation et caracterisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Cordier, Yvon

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82191 / INIST-CNRS ...

Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de ZnTe sur GaAs(001): une etude par diffraction de rayons-X sous incidence rasante

Etgens, Victor

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79724 / INIST-CNRS -...

Conception et elaboration en epitaxie par jets moleculaires de multicouches (Ga,Al)As-(Ca,Sr)F_2 pour application optique

Requena, Philippe

January 1991

Available from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 81589 / INIST-CNRS - Ins...

Realisation de couches minces monocristallines de GaAs

Fontaine, C.
Fabre, N.
Munoz-Yaque, A. (ed.)
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 31 - Toulouse (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur la Prevision et la Surveillance des Eruptions Volcaniques

January 1983

CNRS RP 440 (207) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Berrabah, Meriem

January 1985

SIGLECNRS T 57742 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie "par jets moleculaires sur GaAs des composes du rhodium Rh2_As et RhGa"

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