Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Melange a quatre ondes en phase vapeur : approche theorique par la methode de l'atome habille; etude experimentale dans la vapeur de neon

Verkerk, Philippe

January 1985

SIGLECNRS T 57090 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

Trochut, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS TD 15439 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mise au point d'un reacteur d'epitaxie aux trichlorures destine a la realisation d'heterostructures GaInAs/InP extremement abruptes pour des applications optoelectroniques

Guedon, Christophe

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Tournie, Eric

January 1990

SIGLEINIST T 76991 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Melange a quatre ondes en phase vapeur : approche theorique par la methode de l'atome habille; etude experimentale dans la vapeur de neon

Verkerk, Philippe

January 1985

SIGLECNRS T 57090 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

Trochut, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS TD 15439 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Mise au point d'un reacteur d'epitaxie aux trichlorures destine a la realisation d'heterostructures GaInAs/InP extremement abruptes pour des applications optoelectroniques

Guedon, Christophe

January 1987

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Tournie, Eric

January 1990

SIGLEINIST T 76991 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Melange a quatre ondes en phase vapeur : approche theorique par la methode de l'atome habille; etude experimentale dans la vapeur de neon

Verkerk, Philippe

January 1985

SIGLECNRS T 57090 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Abstract

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