Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes GaAs-GaAlAs

Martin, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Metal organic vapour phase epitaxy for the growth of semiconductor structures and strained layers

Leys, M.R.

January 1991

The technological development of semiconductor materials started in the period following the second ...

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Tournie, Eric

January 1990

SIGLEINIST T 76991 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

CONTRIBUTION A L'INGENIERIE ET A LA MODELISATION D'HETEROSTRUCTURES (GA,IN)(AS,P)/GAAS POUR DIODES LASERS

CHIRLIAS, EDDY
MASSIES, Jean

January 2001

PARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocCentre Technique Livre Ens. Sup. (774682301) / Sud...

Methode de conception des diodes laser GaAlAs/GaAs emettant dans le spectre visible et etude de leur processus technologique

Turc, Pierre

January 1986

SIGLECNRS T 59245 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de diodes laser a puits quantique GRIN-SCH GaAlAs/GaAs. Analyse du comportement en temperature

Fourtine, Stephane
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75791 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes GaAs-GaAlAs

Martin, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Metal organic vapour phase epitaxy for the growth of semiconductor structures and strained layers

Leys, M.R.

January 1991

The technological development of semiconductor materials started in the period following the second ...

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Croissance par epitaxie en phase liquide de doubles heterostructures GaAlAsSb/GaInAsSb/GaAlAsSb : application a la realisation de diodes lasers emettant vers 2 #mu#m

Bhan, Joyti

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Epitaxie en phase liquide des slutions solides GaInAsSb et InAsSbP. Application a la realisation de diodes lasers et photodetecteurs operant vers 2,5 micrometres

Tournie, Eric

January 1990

SIGLEINIST T 76991 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

CONTRIBUTION A L'INGENIERIE ET A LA MODELISATION D'HETEROSTRUCTURES (GA,IN)(AS,P)/GAAS POUR DIODES LASERS

CHIRLIAS, EDDY
MASSIES, Jean

January 2001

PARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocCentre Technique Livre Ens. Sup. (774682301) / Sud...

Methode de conception des diodes laser GaAlAs/GaAs emettant dans le spectre visible et etude de leur processus technologique

Turc, Pierre

January 1986

SIGLECNRS T 59245 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception de diodes laser a puits quantique GRIN-SCH GaAlAs/GaAs. Analyse du comportement en temperature

Fourtine, Stephane
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75791 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes GaAs-GaAlAs

Martin, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Metal organic vapour phase epitaxy for the growth of semiconductor structures and strained layers

Leys, M.R.

January 1991

The technological development of semiconductor materials started in the period following the second ...

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Abstract

Extracted data

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