Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Electrocristallisation de metaux sur n-GaAs et n-InP

Allemand, Luc

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77911 / INIST-CNRS -...

Etude des materiaux specifiques, l'epitaxie de semi-conducteurs composes et l'adaptation du masquage electronique a la WSI. Theme 2: epitaxie d'arseniure de gallium sur silicium

Razeghi, M.
Olivier, J.
Maurel, P.
Omnes, F.
Duchemin, J.P.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Thomson-CSF, 91 - Orsay (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11239 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Benarfa, Houria
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14929 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Reflecteurs de Bragg a multicouches (GaAl)As-(Ca,Sr)F_2 Conception et realisation en epitaxie par lets moleculaires

Fontaine, C.
Requena, P.
Munoz-Yague, A.
Chevalier, J.
Bedel, E.
Legros, R.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 31 - Toulouse (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

Available at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14189 / INIST-CNRS - Insti...

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des circuits integres GaAs du projet Monomode

Henry, M.
Le Rouzic, M.
Thebault, C.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1985

SIGLECNRS RP 252 (264) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Bencherifa, Ali
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1988

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Proprietes electroniques et optiques des superreseaux GaAs/GaAlAs de petites periodes

Chomette, Andre

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Electrocristallisation de metaux sur n-GaAs et n-InP

Allemand, Luc

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77911 / INIST-CNRS -...

Etude des materiaux specifiques, l'epitaxie de semi-conducteurs composes et l'adaptation du masquage electronique a la WSI. Theme 2: epitaxie d'arseniure de gallium sur silicium

Razeghi, M.
Olivier, J.
Maurel, P.
Omnes, F.
Duchemin, J.P.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Thomson-CSF, 91 - Orsay (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11239 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Benarfa, Houria
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14929 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Reflecteurs de Bragg a multicouches (GaAl)As-(Ca,Sr)F_2 Conception et realisation en epitaxie par lets moleculaires

Fontaine, C.
Requena, P.
Munoz-Yague, A.
Chevalier, J.
Bedel, E.
Legros, R.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 31 - Toulouse (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Ministere de la Recherche et de la Technologie (MRT), 75 - Paris (France)

January 1990

Available at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : AR 14189 / INIST-CNRS - Insti...

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des circuits integres GaAs du projet Monomode

Henry, M.
Le Rouzic, M.
Thebault, C.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 22 - Lannion (France). Div. Micro-Ondes, Espace et Radioelectricite

January 1985

SIGLECNRS RP 252 (264) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Bencherifa, Ali
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1988

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la rugosite aux interfaces d'heterostructures GaAs-(Al,Ga)As epitaxiees sous jets moleculaires

Deparis, Christiane
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78355 / INIST-CNRS -...

Croissance par epitaxie par jets moleculaires et etude optique des proprietes electroniques des heterostructures tres contraintes InAs/GaAs

Gerard, Jean-Michel

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78189 / INIST-CNRS -...

Proprietes electroniques et optiques des superreseaux GaAs/GaAlAs de petites periodes

Chomette, Andre

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Electrocristallisation de metaux sur n-GaAs et n-InP

Allemand, Luc

January 1990

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 77911 / INIST-CNRS -...

Etude des materiaux specifiques, l'epitaxie de semi-conducteurs composes et l'adaptation du masquage electronique a la WSI. Theme 2: epitaxie d'arseniure de gallium sur silicium

Razeghi, M.
Olivier, J.
Maurel, P.
Omnes, F.
Duchemin, J.P.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Thomson-CSF, 91 - Orsay (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11239 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Abstract

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Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

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