Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

Elaboration et caracterisation d'heterojonctions photovoltaieques Cd1-yZnyS spray-polyacetylene dope H2SO4)

N'Goran, Yao

January 1985

SIGLECNRS T 57391 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Synthese par decharge luminescente radio-frequence de films minces de Ga_xAs_1_-_x amorphes : proprietes electriques et optiques

Hadidou, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Energie Photovoltaique Solaire Multispectrale: Epitaxie de Cellule GaAs de Haute Performance et de Diode Tunnel GaAs

Vilela, Mauro F.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82182 / INIST-CNRS ...

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Evaluation de Ga1-xAlxAs: materiau pour la conversion photovoltaieque

Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 06 - Valbonne (France). Lab. de Physique du Solide et Energie Solaire
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres

January 1986

SIGLECNRS RP 440 (75) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par EPVOM et caracterisations de couches de Ga_1_-_xIn_xSb pour la photodetection aux longueurs d'onde superieures a 2 microns

Pascal, Fabien

January 1989

SIGLEINIST T 71599 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Synthese et caracterisation d'un materiau photovoltaieque

Canet, Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

EPVOM et caracterisation du Ga_1_-_xIn_x(As_y)Sb_1_-_y pour la photodetection au-dela de 2 micrometres. Etude des mecanismes de croissance du Ga_1_-_xIn_xSb/GaSb en vue de realiser un puits quantique

Kaoukab-Raji, Jaber

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82003 / INIST-CNRS ...

Conversion photovoltaieque solaire multispectrale : proprietes des cellules (Ga, In)As epitaxiees sur InP

Beaumont, Bernard

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration de mono et polycristaux de silicium a usage solaire : proprietes photovoltaieques du materiau obtenu

Hania, David

January 1984

SIGLECNRS T 56690 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conversion photovoltaieque solaire : perfectionnement de rubans de papyex revetus en continu de pyrocarbone destines au depot de silicium en couche mince

Maire, Jacques
Fourre, Jacques
Gremion, Robert
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
La Carbone-Lorraine, 92 - Gennevilliers (France)

January 1983

SIGLECNRS RP 400 (1017) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration et caracterisation d'heterojonctions photovoltaieques Cd1-yZnyS spray-polyacetylene dope H2SO4)

N'Goran, Yao

January 1985

SIGLECNRS T 57391 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Synthese par decharge luminescente radio-frequence de films minces de Ga_xAs_1_-_x amorphes : proprietes electriques et optiques

Hadidou, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Energie Photovoltaique Solaire Multispectrale: Epitaxie de Cellule GaAs de Haute Performance et de Diode Tunnel GaAs

Vilela, Mauro F.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82182 / INIST-CNRS ...

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Evaluation de Ga1-xAlxAs: materiau pour la conversion photovoltaieque

Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 06 - Valbonne (France). Lab. de Physique du Solide et Energie Solaire
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres

January 1986

SIGLECNRS RP 440 (75) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes Ga_xIn_1_-_xAs_yP_1_-_y obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Maurel, Philippe

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par EPVOM et caracterisations de couches de Ga_1_-_xIn_xSb pour la photodetection aux longueurs d'onde superieures a 2 microns

Pascal, Fabien

January 1989

SIGLEINIST T 71599 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Synthese et caracterisation d'un materiau photovoltaieque

Canet, Pierre

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

EPVOM et caracterisation du Ga_1_-_xIn_x(As_y)Sb_1_-_y pour la photodetection au-dela de 2 micrometres. Etude des mecanismes de croissance du Ga_1_-_xIn_xSb/GaSb en vue de realiser un puits quantique

Kaoukab-Raji, Jaber

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82003 / INIST-CNRS ...

Conversion photovoltaieque solaire multispectrale : proprietes des cellules (Ga, In)As epitaxiees sur InP

Beaumont, Bernard

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration de mono et polycristaux de silicium a usage solaire : proprietes photovoltaieques du materiau obtenu

Hania, David

January 1984

SIGLECNRS T 56690 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conversion photovoltaieque solaire : perfectionnement de rubans de papyex revetus en continu de pyrocarbone destines au depot de silicium en couche mince

Maire, Jacques
Fourre, Jacques
Gremion, Robert
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
La Carbone-Lorraine, 92 - Gennevilliers (France)

January 1983

SIGLECNRS RP 400 (1017) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Elaboration et caracterisation d'heterojonctions photovoltaieques Cd1-yZnyS spray-polyacetylene dope H2SO4)

N'Goran, Yao

January 1985

SIGLECNRS T 57391 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Synthese par decharge luminescente radio-frequence de films minces de Ga_xAs_1_-_x amorphes : proprietes electriques et optiques

Hadidou, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Energie Photovoltaique Solaire Multispectrale: Epitaxie de Cellule GaAs de Haute Performance et de Diode Tunnel GaAs

Vilela, Mauro F.
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : TD 82182 / INIST-CNRS ...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

Abstract

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