Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

Caracterisation de l'absorption hyperfrequence de materiaux heterogenes par des methodes photothermiques

Sagnard, Florence
Lepoutre, Francois
Levesque, Patrick
Office National d'Etudes et de Recherches Aerospatiales (ONERA), 92 - Chatillon (France)

January 1995

Communication to : journee d'etude Societe francaise des thermiciens sur la thermique des materiaux ...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Recherche experimentale et theorique du controle de l'epitaxie de InP/InGaAs/InP par la methode aux hydrures

Chaput, Laurent

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Photoreactivite en phase heterogene: dimerisation en phase solide en serie benzothiophenique et oxydation photocatalytique de composes insatures

Saaedan, Ahmed Mohamed

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82546 / INIST-CNRS -...

Etude thermodynamique et experimentale du depot chimique en phase vapeur du phosphure d'indium

Defoort, Francoise
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Techniques d'heterodynage dans l'infrarouge lointain. Quelques applications en spectroscopie de rotation

Chen, Weidong

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79843 / INIST-CNRS -...

Etude de l'hydrogenation photocathodique de Si(p) dans l'acide fluorhydrique HF 5%

De Mierry, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation de l'absorption hyperfrequence de materiaux heterogenes par des methodes photothermiques

Sagnard, Florence
Lepoutre, Francois
Levesque, Patrick
Office National d'Etudes et de Recherches Aerospatiales (ONERA), 92 - Chatillon (France)

January 1995

Communication to : journee d'etude Societe francaise des thermiciens sur la thermique des materiaux ...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme GaInAsP : applications en opto-electronique

Gentric, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes Ga_xIn_1_-_xAs/InP pour applications en telecommunications

Menu, Eric

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de GaInP et AlgaInP sur GaAs : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Dupont-Nivet, Eric

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie en phase vapeur d'alliages ternaires et quaternaires a base d'antimoniures par la methode aux organometalliques : exploration de leurs possibilites en photodetection pour des longueurs d'ondes superieures a deux microns

Delannoy, Frederique

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de GaInAsP

Ougazzaden, Abdallah

January 1990

INIST T 73993 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Heteroepitaxie des systemes GaAs/Si et GaAs/InP par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques

Draidia, Nasserdine
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 78354 / INIST-CNRS -...

Recherche experimentale et theorique du controle de l'epitaxie de InP/InGaAs/InP par la methode aux hydrures

Chaput, Laurent

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles solaires a haut rendement en GaAlAs

Laugier, A.
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 75 - Paris (France). Programme Interdisciplinaire de Recherche sur les Sciences de l'Energie et des Matieres Premieres
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere.
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France). Lab. de Physique de la Matiere

January 1987

CNRS RP 440 (173) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Photoreactivite en phase heterogene: dimerisation en phase solide en serie benzothiophenique et oxydation photocatalytique de composes insatures

Saaedan, Ahmed Mohamed

January 1992

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 82546 / INIST-CNRS -...

Etude thermodynamique et experimentale du depot chimique en phase vapeur du phosphure d'indium

Defoort, Francoise
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Techniques d'heterodynage dans l'infrarouge lointain. Quelques applications en spectroscopie de rotation

Chen, Weidong

January 1991

SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79843 / INIST-CNRS -...

Etude de l'hydrogenation photocathodique de Si(p) dans l'acide fluorhydrique HF 5%

De Mierry, Philippe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation de l'absorption hyperfrequence de materiaux heterogenes par des methodes photothermiques

Sagnard, Florence
Lepoutre, Francois
Levesque, Patrick
Office National d'Etudes et de Recherches Aerospatiales (ONERA), 92 - Chatillon (France)

January 1995

Communication to : journee d'etude Societe francaise des thermiciens sur la thermique des materiaux ...

Croissance et caracterisation de couches de GA1-xAlxAs par epitaxie en phase vapeur par organometalliques pour applications photovoltaieques

N'Ouessan, Kouame

January 1986

SIGLECNRS T 60174 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude thermodynamique et experimentale d'une methode d'elaboration de nouveaux verres fluores par depot chimique en phase vapeur

Relave, Olivier
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), 38 (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'elaboration d'heteroscultures InP/InGaAs/InP par la methode d'epitaxie en phase vapeur-hydrures : application a la realisation de photodiodes

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