Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arseniure de gallium epitaxiees par jets moleculaires

Caracterisation des defauts lacunaires par annihilation de position dans l'arseniure de gallium

Stucky, Michel

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le vanadium dans l'arseniure de gallium : l'or et le platine dans le silicium

Armelles Reig, Gaspar
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59511 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie de l'Arseniure de Gallium sur Silicium : croissance, proprietes structurales et electroniques

Freundlich, Alexandre

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Flottation ionique des cations metalliques par les collecteurs a longue chaine : application aux ions Ba2+ et Ga3+

Rivera Santillan, Rosa Elva

January 1987

SIGLECNRS T 61148 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation de multiplieurs numeriques sur arseniure de gallium

Delhaye, Etienne

January 1986

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse et caracterisation a l'echelon atomique de l'interaction entre des plasmas multipolaires et les surfaces d'arseniure de gallium

Mabon, Roland

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Boddaert, Xavier

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie "par jets moleculaires sur GaAs des composes du rhodium Rh2_As et RhGa"

Secoue, Marinette

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium

Gillmann, Gilbert

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des defauts lacunaires par annihilation de position dans l'arseniure de gallium

Stucky, Michel

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le vanadium dans l'arseniure de gallium : l'or et le platine dans le silicium

Armelles Reig, Gaspar
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59511 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Les dispositifs a transfert de charge en arseniure de gallium : conception et realisation

Besnard, Veronique

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Heteroepitaxie de l'Arseniure de Gallium sur Silicium : croissance, proprietes structurales et electroniques

Freundlich, Alexandre

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Flottation ionique des cations metalliques par les collecteurs a longue chaine : application aux ions Ba2+ et Ga3+

Rivera Santillan, Rosa Elva

January 1987

SIGLECNRS T 61148 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation de multiplieurs numeriques sur arseniure de gallium

Delhaye, Etienne

January 1986

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaSb, AlSb et GaAlSb : etude de leurs proprietes physico-chimiques

Saguintaah, Babako

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Analyse et caracterisation a l'echelon atomique de l'interaction entre des plasmas multipolaires et les surfaces d'arseniure de gallium

Mabon, Roland

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la stabilite des defauts dans l'arseniure de gallium

Boddaert, Xavier

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie "par jets moleculaires sur GaAs des composes du rhodium Rh2_As et RhGa"

Secoue, Marinette

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium

Gillmann, Gilbert

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la gravure plasma de l'arseniure de gallium

Khodr, M.F.

January 1985

SIGLECNRS T 57002 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation des defauts lacunaires par annihilation de position dans l'arseniure de gallium

Stucky, Michel

January 1987

SIGLECNRS TD Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le vanadium dans l'arseniure de gallium : l'or et le platine dans le silicium

Armelles Reig, Gaspar
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS T 59511 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arseniure de gallium epitaxiees par jets moleculaires

Abstract

Extracted data

Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arseniure de gallium epitaxiees par jets moleculaires

Abstract

Extracted data

Related items

Related items