Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Etude de la reponse au pH du nitrure de silicium en vue de la realisation de capteurs microelectroniques

Lefevre, Christophe

January 1989

SIGLECNRS T 66522 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes de conduction mixte et d'electrolyse de Cu3VS4

Jin, Yong

January 1986

SIGLECNRS T 59938 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des gardes peripheriques des composants silicium planar haute-tension en technologie SIPOS

Jaume, Denis
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75814 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium

Remram, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Titanage electrolytique du cuivre en milieux de sels fondus

Renaud, Denis

January 1985

SIGLECNRS T 57160 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'electrons pulses

Doghmane, Mohammed-Salah
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1984

SIGLET 56234 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electrochimique de conducteurs organiques

Wuryanto

January 1984

T 54631 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Microelectronique silicium. Silicium sur isolant. Soutien aux activites GCIS. Outils generaux. Connectique

Joly, Jean-Pierre
Nicolas, Gerard
Cussol, Pierre
Niez, Jean-Jacques
Micolet, Rene
Lamure, Jean-Michel
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
CEA Centre d'Etudes Nucleaires de Grenoble, 38 (France). Lab. d'Electronique et de Technologie de l'Informatique (LETI)

January 1985

SIGLECNRS AR 12175 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'endommagement induit dans le silicium par des ions lourds de grande energie

Mary, Patrick

January 1990

SIGLEINIST T 75288 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Synthese electrochimique de derives selenies organiques

Nour, Mohammed

January 1986

SIGLECNRS T 59168 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium. Effet Getter

Hartit, Bouchaib

January 1990

SIGLEINIST T 71248 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude physique et electrochimique du pouvoir protecteur des peintures

Cuntz, J.M
DGRST Paris (FRANCE)
Societe Nationale Industrielle Aerospatiale Suresnes (FRANCE)

January 1982

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electriques et dielectriques de la cerine dopee

Sylvestre, Annie

January 1984

SIGLET 56564 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrochimique de l'interface or-monocristallin-electrolyte aqueux de KPF6

Stoicoviciu Tinis, Livia

January 1986

SIGLECNRS T 59426 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le silicium a finalite microelectronique et photovoltaique

Huong, Pham Van
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Bordeaux-1 Univ., 33 - Talence (France). Lab. de Spectroscopie Moleculaire et Cristalline

January 1987

CNRS RP 400 (634) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la reponse au pH du nitrure de silicium en vue de la realisation de capteurs microelectroniques

Lefevre, Christophe

January 1989

SIGLECNRS T 66522 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes de conduction mixte et d'electrolyse de Cu3VS4

Jin, Yong

January 1986

SIGLECNRS T 59938 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des gardes peripheriques des composants silicium planar haute-tension en technologie SIPOS

Jaume, Denis
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75814 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium

Remram, Mohamed
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Titanage electrolytique du cuivre en milieux de sels fondus

Renaud, Denis

January 1985

SIGLECNRS T 57160 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'electrons pulses

Doghmane, Mohammed-Salah
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 69 - Villeurbanne (France)

January 1984

SIGLET 56234 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electrochimique de conducteurs organiques

Wuryanto

January 1984

T 54631 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Microelectronique silicium. Silicium sur isolant. Soutien aux activites GCIS. Outils generaux. Connectique

Joly, Jean-Pierre
Nicolas, Gerard
Cussol, Pierre
Niez, Jean-Jacques
Micolet, Rene
Lamure, Jean-Michel
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
CEA Centre d'Etudes Nucleaires de Grenoble, 38 (France). Lab. d'Electronique et de Technologie de l'Informatique (LETI)

January 1985

SIGLECNRS AR 12175 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de l'endommagement induit dans le silicium par des ions lourds de grande energie

Mary, Patrick

January 1990

SIGLEINIST T 75288 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Synthese electrochimique de derives selenies organiques

Nour, Mohammed

January 1986

SIGLECNRS T 59168 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium. Effet Getter

Hartit, Bouchaib

January 1990

SIGLEINIST T 71248 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude physique et electrochimique du pouvoir protecteur des peintures

Cuntz, J.M
DGRST Paris (FRANCE)
Societe Nationale Industrielle Aerospatiale Suresnes (FRANCE)

January 1982

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes electriques et dielectriques de la cerine dopee

Sylvestre, Annie

January 1984

SIGLET 56564 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrochimique de l'interface or-monocristallin-electrolyte aqueux de KPF6

Stoicoviciu Tinis, Livia

January 1986

SIGLECNRS T 59426 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Le silicium a finalite microelectronique et photovoltaique

Huong, Pham Van
Agence Francaise pour la Maitrise de l'Energie (AFME), 75 - Paris (France)
Bordeaux-1 Univ., 33 - Talence (France). Lab. de Spectroscopie Moleculaire et Cristalline

January 1987

CNRS RP 400 (634) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Etude de la reponse au pH du nitrure de silicium en vue de la realisation de capteurs microelectroniques

Lefevre, Christophe

January 1989

SIGLECNRS T 66522 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes de conduction mixte et d'electrolyse de Cu3VS4

Jin, Yong

January 1986

SIGLECNRS T 59938 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des gardes peripheriques des composants silicium planar haute-tension en technologie SIPOS

Jaume, Denis
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1990

SIGLEINIST T 75814 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des defauts electriques associes a l'or et au fer dans le silicium

Abstract

Extracted data

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