Sur l'analyse des proprietes physico-chimiques et electroniques de la surface InP (110) : contribution aux proprietes de l'interface Metal-InP (110)

Formation d'interfaces metal-semiconducteur : etude a l'equilibre : Pb/Ge (111); etude cinetique : metaux nobles-Si(100)

Imam, Zineddine

January 1985

SIGLECNRS T 57952 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude, par spectroscopie de photoelectrons, d'interfaces polymere-metal : application au cas de l'acide polyamique et du polyimide

Russat, Jean

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP

A. Ismail
J.M. Palau
L. Lassabatère

January 1984

A.E.S. and mainly Kelvin method are used to study chemical (100) and cleaved (110) InP surfaces and ...

Etude des proprietes de InP(110) : surface clivee propre et formation d'interfaces avec Ag et Ga

Maigne, Pascal

January 1985

SIGLECNRS T 57072 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des interfaces metal noble-semiconducteur : Cu/Si(111) et Au/Si(111) par differentes techniques d'analyse de surface

Mathieu, Gilles

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des surfaces et interfaces metal-semiconducteur (Ag/Si; Au/Si) par spectroscopie de pertes d'energies d'electrons lents a haute resolution

Contini, Rino

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude par spectroscopies electroniques de la preparation sous ultra-vide des surfaces InP (100)

Achard, Bruno

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electroniques et physico-chimiques des surfaces d'InP

Mansour, Hassen

January 1984

SIGLECNRS T 55475 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des phenomenes de surface et d'interface au cours de la croissance de couches minces de metaux nobles (Au, Ag, Cu) sur des surfaces reelles (100) de silicium et de germanium

Ben Mansour, Fahti

January 1990

SIGLEINIST T 75769 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electronique et physico-chimique des premiers stades de la formation des interfaces GaSb-metal

Doukkali, Mohamed-Aziz

January 1990

SIGLEINIST T 75824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

The electronic structure of the InP(110) surface

Y. Khazmi
P.O. Nilsson
J. Kanski

January 1994

As part of an extensive project on the surface electronic structure of semiconductor compounds we re...

The electronic structure of the InP(110) surface

Y. Khazmi
P.O. Nilsson
J. Kanski

As part of an extensive project on the surface electronic structure of semiconductor compounds we re...

Contribution a la description theorique de l'interface metal noble / solution electrolytique

Russier, Vincent

January 1986

SIGLECNRS T 59785 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la phosphatation electrochimique des surfaces metalliques

Gougelin, Patrick

January 1985

SIGLECNRS T 57061 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Spectroscopie des etats electroniques a l'interface InP-sulfure

Klopfenstein, Patrick

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation d'interfaces metal-semiconducteur : etude a l'equilibre : Pb/Ge (111); etude cinetique : metaux nobles-Si(100)

Imam, Zineddine

January 1985

SIGLECNRS T 57952 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude, par spectroscopie de photoelectrons, d'interfaces polymere-metal : application au cas de l'acide polyamique et du polyimide

Russat, Jean

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP

A. Ismail
J.M. Palau
L. Lassabatère

January 1984

A.E.S. and mainly Kelvin method are used to study chemical (100) and cleaved (110) InP surfaces and ...

Etude des proprietes de InP(110) : surface clivee propre et formation d'interfaces avec Ag et Ga

Maigne, Pascal

January 1985

SIGLECNRS T 57072 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des interfaces metal noble-semiconducteur : Cu/Si(111) et Au/Si(111) par differentes techniques d'analyse de surface

Mathieu, Gilles

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude des surfaces et interfaces metal-semiconducteur (Ag/Si; Au/Si) par spectroscopie de pertes d'energies d'electrons lents a haute resolution

Contini, Rino

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude par spectroscopies electroniques de la preparation sous ultra-vide des surfaces InP (100)

Achard, Bruno

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des proprietes electroniques et physico-chimiques des surfaces d'InP

Mansour, Hassen

January 1984

SIGLECNRS T 55475 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des phenomenes de surface et d'interface au cours de la croissance de couches minces de metaux nobles (Au, Ag, Cu) sur des surfaces reelles (100) de silicium et de germanium

Ben Mansour, Fahti

January 1990

SIGLEINIST T 75769 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude electronique et physico-chimique des premiers stades de la formation des interfaces GaSb-metal

Doukkali, Mohamed-Aziz

January 1990

SIGLEINIST T 75824 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

The electronic structure of the InP(110) surface

Y. Khazmi
P.O. Nilsson
J. Kanski

January 1994

As part of an extensive project on the surface electronic structure of semiconductor compounds we re...

The electronic structure of the InP(110) surface

Y. Khazmi
P.O. Nilsson
J. Kanski

As part of an extensive project on the surface electronic structure of semiconductor compounds we re...

Contribution a la description theorique de l'interface metal noble / solution electrolytique

Russier, Vincent

January 1986

SIGLECNRS T 59785 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la phosphatation electrochimique des surfaces metalliques

Gougelin, Patrick

January 1985

SIGLECNRS T 57061 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Spectroscopie des etats electroniques a l'interface InP-sulfure

Klopfenstein, Patrick

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation d'interfaces metal-semiconducteur : etude a l'equilibre : Pb/Ge (111); etude cinetique : metaux nobles-Si(100)

Imam, Zineddine

January 1985

SIGLECNRS T 57952 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude, par spectroscopie de photoelectrons, d'interfaces polymere-metal : application au cas de l'acide polyamique et du polyimide

Russat, Jean

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP

A. Ismail
J.M. Palau
L. Lassabatère

January 1984

A.E.S. and mainly Kelvin method are used to study chemical (100) and cleaved (110) InP surfaces and ...

Sur l'analyse des proprietes physico-chimiques et electroniques de la surface InP (110) : contribution aux proprietes de l'interface Metal-InP (110)

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Sur l'analyse des proprietes physico-chimiques et electroniques de la surface InP (110) : contribution aux proprietes de l'interface Metal-InP (110)

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