Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Plasticite de GaAs en fonction du dopage electronique

Boivin, Patrice

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs p- and n-MOS devices integrated with novel passivation (plasma nitridation and AlN-surface passivation) techniques and ALD-HfO2/TaN gate stack

Gao, F.
Lee, S.J.
Li, R.
Whang, S.J.
Balakumar, S.
Chi, D.Z.
Kean, C.C.
Vicknesh, S.
Tung, C.H.
Kwong, D.-L.

January 2006

10.1109/IEDM.2006.346743Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM-TDIM

Les plasmas multipolaires microonde: une solution pour la gravure en microelectronique?

Pelletier, J.
Arnal, Y.
Petit, B.
Pomot, C.
Pichot, M.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 38 - Meylan (France). Div. Recherches Physiques et Technologiques

January 1985

SIGLECNRS RP 253 (48) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la passivation de GaAs (001) par un depot de nitrure de silicium realise par photolyse de Nh_3 en presence de SiH_4

Guizot, Jean Luc

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'un plasma multipolaire utilise pour la passivation du phosphure d'indium en vue de la realisation d'un contact Schottky oxyde

Belmahi, Mohammed

January 1990

SIGLEINIST T 74953 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma

Leonardo Breseghello Zoccal

January 2007

Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de subst...

Etude par photoémission de la passivation de GaAs en plasmas multipolaires d'azote et d'hydrogène

P. Friedel
J.P. Landesman
R. Mabon

January 1987

The passivation of III-V materials is a challenge to surface physicists. A passivation process by pl...

Etude de la passivation de l'InP-n en plasmas RF et multipolaire d'oxygène

Belmahi, M.

January 1989

L'InP est un des composés III-V les plus étudiés actuellement, toutefois le développement de son uti...

Traitement plasma de films polyimide en vue de l'amelioration des proprietes d'adhesion

Turban, Guy
Kogoma, Masuhiro
Rhounna, Abdeljahil
Cardinaud, Christophe
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Nantes Univ., 44 (France). Lab. de Physique Corpusculaire

January 1986

SIGLECNRS AR 11192 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation d'un plasma RF : influence des parametres du plasma sur les depots de passivation du phosphure d'indium (InP)

Ait Saada, Aomar

January 1987

SIGLECNRS T 61176 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la passivation par les monofluorophosphates metalliques des couches nitrurees en acier

Gaucher, Antoine
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hydromecanique et Frottement, 42 - Andrezieux-Boutheon (France)

January 1989

SIGLECNRS AR 13394 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Oxydation thermique sous fluor de GaAs (100) : application a la passivation des composes III-V

Seguelong, Thierry

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitements de passivation des surfaces de l'arséniure de gallium et impact sur les propriétés électro-optiques de ce matériau

St-Arnaud, Ken

January 2015

Ce projet de recherche vise à caractériser l'influence de divers traitements de passivation de surfa...

Plasticite de GaAs en fonction du dopage electronique

Boivin, Patrice

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs p- and n-MOS devices integrated with novel passivation (plasma nitridation and AlN-surface passivation) techniques and ALD-HfO2/TaN gate stack

Gao, F.
Lee, S.J.
Li, R.
Whang, S.J.
Balakumar, S.
Chi, D.Z.
Kean, C.C.
Vicknesh, S.
Tung, C.H.
Kwong, D.-L.

January 2006

10.1109/IEDM.2006.346743Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM-TDIM

Les plasmas multipolaires microonde: une solution pour la gravure en microelectronique?

Pelletier, J.
Arnal, Y.
Petit, B.
Pomot, C.
Pichot, M.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 38 - Meylan (France). Div. Recherches Physiques et Technologiques

January 1985

SIGLECNRS RP 253 (48) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la passivation de GaAs (001) par un depot de nitrure de silicium realise par photolyse de Nh_3 en presence de SiH_4

Guizot, Jean Luc

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude d'un plasma multipolaire utilise pour la passivation du phosphure d'indium en vue de la realisation d'un contact Schottky oxyde

Belmahi, Mohammed

January 1990

SIGLEINIST T 74953 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du comportement electrique de films minces de GaAs amorphes ou polycristallins elabores par depots en phase vapeur ou par plasma a partir d'organometalliques

Sahli, Salah

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma

Leonardo Breseghello Zoccal

January 2007

Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de subst...

Etude par photoémission de la passivation de GaAs en plasmas multipolaires d'azote et d'hydrogène

P. Friedel
J.P. Landesman
R. Mabon

January 1987

The passivation of III-V materials is a challenge to surface physicists. A passivation process by pl...

Etude de la passivation de l'InP-n en plasmas RF et multipolaire d'oxygène

Belmahi, M.

January 1989

L'InP est un des composés III-V les plus étudiés actuellement, toutefois le développement de son uti...

Traitement plasma de films polyimide en vue de l'amelioration des proprietes d'adhesion

Turban, Guy
Kogoma, Masuhiro
Rhounna, Abdeljahil
Cardinaud, Christophe
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Nantes Univ., 44 (France). Lab. de Physique Corpusculaire

January 1986

SIGLECNRS AR 11192 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation d'un plasma RF : influence des parametres du plasma sur les depots de passivation du phosphure d'indium (InP)

Ait Saada, Aomar

January 1987

SIGLECNRS T 61176 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la passivation par les monofluorophosphates metalliques des couches nitrurees en acier

Gaucher, Antoine
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hydromecanique et Frottement, 42 - Andrezieux-Boutheon (France)

January 1989

SIGLECNRS AR 13394 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude de la passivation de composants sur arseniure de gallium : caracterisation de films dielectriques realises par depot en phase vapeur assiste par plasma

Montpied, Sylvie

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Oxydation thermique sous fluor de GaAs (100) : application a la passivation des composes III-V

Seguelong, Thierry

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Traitements de passivation des surfaces de l'arséniure de gallium et impact sur les propriétés électro-optiques de ce matériau

St-Arnaud, Ken

January 2015

Ce projet de recherche vise à caractériser l'influence de divers traitements de passivation de surfa...

Plasticite de GaAs en fonction du dopage electronique

Boivin, Patrice

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs p- and n-MOS devices integrated with novel passivation (plasma nitridation and AlN-surface passivation) techniques and ALD-HfO2/TaN gate stack

Gao, F.
Lee, S.J.
Li, R.
Whang, S.J.
Balakumar, S.
Chi, D.Z.
Kean, C.C.
Vicknesh, S.
Tung, C.H.
Kwong, D.-L.

January 2006

10.1109/IEDM.2006.346743Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM-TDIM

Les plasmas multipolaires microonde: une solution pour la gravure en microelectronique?

Pelletier, J.
Arnal, Y.
Petit, B.
Pomot, C.
Pichot, M.
Centre National d'Etudes des Telecommunications (CNET), 38 - Meylan (France). Div. Recherches Physiques et Technologiques

January 1985

SIGLECNRS RP 253 (48) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Passivation de GaAs par plasma multipolaire. Postencapsulation de MESFET's GaAs

Abstract

Extracted data

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