Entwicklung von PbTe-Sputterschichten und Si_1_-_xGe_x-PECVD-Schichten fuer thermoelektrische Generatoren und IR-Detektoren fuer mittlere Temperaturen Abschlussbericht

Sputtering and PECVD techniques were employed for producing films with thermoelectric characteristics similar to those of massive materials. The focus of research and development at Fraunhofer PM was on the preparation and investigation of sputtered PbTe and SiGe deposited by PECVD.Ziel des Projektes war es mit Sputter- bzw. PECVD-Verfahren Schichten herstellen zu koennen, deren thermoelektrische Werte konkurrenzfaehig sind mit denen der entsprechenden Massivmaterialien. Schwerpunkt der Forschungs- und Entwicklungsarbeiten bei Fraunhofer PM bildeten die Herstellung und Untersuchung von gesputtertem PbTe und von PECVD-abgeschiedenem SiGe.SIGLEAvailable from TIB Hannover: F04B380 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Bildung und Forschung (BMBF), Bonn (Germany)DEGerman