Entwicklung und Untersuchung der Mikrometer- und Submikrometerstrukturierung von Schichten fuer HTSL-Bauelemente Abschlussbericht

The patterning of HTSC-substrates and HTSC-layers was investigated. Lithografic technologies were fotolithography (down to 2 #mu#m linewidth) and electron-beam lithography (down to 100 nm linewidth). Pattern transfer was made by ion-beam etching only. The minimum linewidth of YBCO-bridges in functionable devices was 2 #mu#m with respect of the heat load during pattern transfer. Furthermore an inhibit-layer technology was developed and investigated. SQUIDs with working temperatures of 77 K were realised with our patterning technologies. (orig.)Die Strukturierung von HTSL-Substraten und HTSL-Schichten wurde untersucht. Lithografische Technologien waren die Fotolithografie (bis min. 2 #mu# Strukturbreite) und die Elektronenstrahllithografie (bis min. 100 nm Strukturbreite). Die Strukturuebertragung geschah ausschliesslich mit Ionenstrahlaetzen. Die funktionsfaehige minimale Strukturbreite lag in YBCO-123-Schichten, durch die thermische Belastung beim Aetzen bedingt, um ca. 2 #mu#m. Weiterhin wurde eine Inhibit-layer-Technologie entwickelt und untersucht. Mit den Technologien konnte die Strukturierung fuer funktionsfaehige SQUIDs mit Arbeitstemperaturen bis 77 K realisiert werden. (orig.)SIGLEAvailable from TIB Hannover: F94B0364+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Forschung und Technologie (BMFT), Bonn (Germany)DEGerman