Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin

LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTORS EN COUCHE MINCE (TFT) SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN. CELA ENTRAINE UNE ACTIVITE SCIENTIFIQUE IMPORTANTE, AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES OPTIMAUX POUR LA FABRICATION DES TFT LES PLUS PERFORMANTS ET LES MIEUX ADAPTES. CETTE THESE S'INSCRIT DANS CE CONTEXTE. LE PREMIER OBJECTIF DE CETTE THESE EST DE COMPRENDRE LE FONCTIONNEMENT STATIQUE (CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT AU REGIME LINEAIRE) DE CES TRANSISTORS ET AINSI DE DISCUTER LA QUALITE DE CES STRUCTURES SUIVANT LES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES QUI ONT ETE UTILISES PENDANT LEUR FABRICATION. LES TFT OBTENUS A L'AIDE DU RECUIT LASER SONT LARGEMENT ETUDIES ET DE NOMBREUSES CONSTATATIONS ET CONCLUSIONS SONT PRESENTEES. DE PLUS, NOUS PROPOSONS UN MODELE STATIQUE EN REGIME LINEAIRE POUR LES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GRANDS GRAINS AFIN DE CARACTERISER CES DISPOSITIFS. LE DEUXIEME OBJECTIF EST D'ETUDIER LA FIABILITE DES TFT. CECI A ETE FAIT A L'AIDE DE L'ANALYSE DU BRUIT ELECTRIQUE ET DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. LE BRUIT ELECTRIQUE BASSES FREQUENCES SERT COMME OUTIL DE CARACTERISATION DE LA QUALITE AINSI QUE DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS. NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE LE VIEILLISSEMENT DES DISPOSITIFS A SES ORIGINES AUX DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-POLY/SIO 2 ET A LA DEGRADATION DES JOINTS DE GRAINS.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocGRENOBLE INP-Phelma (381852301) / SudocSudocFranceF