Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant

DANS CETTE THESE, NOUS MONTRONS EN QUOI LES TECHNOLOGIES SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) SONT INTERESSANTES POUR LES APPLICATIONS RADIOFREQUENCES, NOTAMMENT GRACE A DES RESULTATS DE CARACTERISATION DE COMPOSANTS PASSIFS, COMME LES LIGNES DE TRANSMISSION ET LES INDUCTANCES INTEGREES, MAIS AUSSI GRACE A DES ETUDES APPROFONDIES SUR LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI. DANS UNE PREMIERE PARTIE, LES PROPRIETES EN HAUTE FREQUENCE DES SUBSTRATS SOI SONT DISCUTEES EN METTANT EN EVIDENCE L'AVANTAGE DES SUBSTRATS FORTEMENT RESISTIFS ET SEMI-ISOLANTS. POUR CELA, UN MODELE ANALYTIQUE DE LIGNE DE TRANSMISSION COPLANAIRE A ETE DEVELOPPE AVEC LEQUEL NOUS AVONS PU EVALUER L'IMPACT DE LA RESISTIVITE DU SUBSTRAT SUR LES PERTES DE CE TYPE DE LIGNE. DE PLUS, GRACE A UNE COMPARAISON D'INDUCTANCES INTEGREES SUR SUBSTRATS SOI STANDARD ET DE FORTE RESISTIVITE, CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES. DANS UNE SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL, UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DE SCHEMA EQUIVALENT DE MOSFET SUR SOI, VALABLE POUR DES FREQUENCES ALLANT DE 0,1 A 18 GHZ, EST PRESENTEE. CETTE NOUVELLE METHODE, NOUS A PERMIS D'ANALYSER LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI DE LONGUEUR DE GRILLE DE 0,25 M DONT LES FREQUENCES DE COUPURES SONT GENERALEMENT SUPERIEURES A 40 GHZ. FINALEMENT, L'IMPACT DE L'AUTO-ECHAUFFEMENT ET DES EFFETS DE SUBSTRAT FLOTTANT SUR LES PERFORMANCES EN RADIOFREQUENCE, TELS QUE L'EFFET KINK ET LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE, BIEN CONNUS DES TECHNOLOGIES SOI, SONT DISCUTES.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocGRENOBLE INP-Phelma (381852301) / SudocSudocFranceF