Etude de la zone de charge d'espace mixte (ZCEM) dans le drain des MOS haute tension

Ce mémoire traite de l'analyse du comportement des MOS à canal N de puissance haute tension en mode de certains régimes sévères (tension drain-source Dos élevée et fortes densités de courants). Leurs conception et réalisation, pour une application spécifique, mirent sur la sellette un phénomène limitant le courant du dispositif quelle que soit Ucs la tension grille source. Nous avons attribué ce mécanisme à une Zone de Charge d'Espace Mixte (ZCEM). On bâtit ainsi un modèle plus approprié que celui du TECJ (JFE7) parasite admis jusque-là. La zone de charge d'espace n'est plus " déserte " (matériau N' forte résistivité avec seulement des charges fixes positives) mais " remplie " aussi de charges mobiles (électrons) transitant à une vitesse de saturation V sat # lO 7 cm.s'1. Cette cohabitation " positifs " (fixes et mobiles) et " négatifs " (mobiles) sous fort champ électrique explique l'acronyme ZCEM. Les caractérisations statique et dynamique des MOS haute tension se soldent par une détermination de l'influence de la structure sur la ZCEM (résistivité et épaisseur de la région de tenue en tension, distance intercellulaire). Des simulations en éléments finis (MEDICI, ATLAS) sont venues conforter ces résultats expérimentaux et ont montré le rôle essentiel de la zone N' de drain. On a donc été amené à réaliser un composant spécifique, simple, N'N* représentant la partie ZCEM observée dans le transistor MOS...AIX-MARSEILLE3-BU Sc.St Jérô (130552102) / SudocSudocFranceF