Photopiles à hétérostructure (In,Se)-Cu(In,Ga)Se2/SnO2 (fabrication et études)

Ce travail est une étude de l'hétérostructure Zn/(In,Se)-Cu(In,Ga)Se2/SnO2 et des phénomènes impliqués dans la formation de la jonction. La couche de Cu(In,Ga)Se2 est déposée par une méthode faible coût , le transport chimique à courte distance. La couche de (In,Se) est déposée par sublimation à courte distance. Elle est déposée d'abord isolante puis type n+. Une jonction se crée spontanément près du SnO2 pendant le dépôt de cette couche.Les études de morphologie et XRD des différentes couches de la structure sont présentées et discutées. La structure est étudiée, notamment les caractéristiques I(V), la position de la jonction par EBIC, les profils de concentration par SIMS.Les phénomènes impliqués dans la formation de la jonction sont étudiés et nous pensons qu'elle est due à une diffusion du cuivre à travers la couche absorbeur, créant un gradient de concentration dans cette couche.PERPIGNAN-BU Sciences (661362101) / SudocSudocFranceF