Evaluation de couches minces originales à base de chrome déposées par MOCVD comme barrières à la diffuion du cuivre

Dans l'optique d'augmenter les performances des microprocesseurs, l'aluminium a été remplacé par le cuivre dans les interconnections. Celui-ci offre une plus faible résistivité électrique et une meilleure résistance à l'électromigration. Cependant sa grande mobilité dans le silicium et les mátériaux diélectriques pose de graves problèmes. La solution retenue est d'isoler le cuivre de son environnement par une fine barrière à la diffusion. Le choix du matériau pouvant remplir ce rôle reste encore ouvert en raison des exigences draconiennes, surtout en terme d'épaisseur. Dans cette étude, nous avons proposé deux barrières originales à base de chrome : Cr3(C,N)2 et CrSixCy déposées par MOCVD à l'état amorpheL Les propriétés de ces couches ont été étudiées. La stabilité des structures Cu/barrière/Si a été estimée à 650C/30 min. La nécessité de maîtriser de très fines épaisseurs nous a également conduit à développer une méthode de suivi in situ par pyrométrie IR.TOULOUSE-ENSIACET (315552325) / SudocSudocFranceF