Caractérisation et modélisation de mémoires à sites de piégeage discrets

Dans le but de poursuivre la miniaturisation poussée des dispositifs mémoires à technologie MOS, de nombreuses voies sont à l'heure actuelle étudiées. Nous étudions dans cette thèse la possibilité de remplacer la grille flottante des mémoires MOSFET actuelles par des sites de piégeage discrets. Ces sites de piégeage peuvent être soient des nano-cristaux de silicium déposés sur l'oxyde de grille (ou obtenus par un recuit d'une couche de SiOx) soient être contenus dans une couche de diélectrique naturellement riches en pièges électriquement actif (dans notre cas de l'alumine ou du nitrure). Cette thèse présente donc les résultats des caractérisations électriques de différents types de mémoires étudiés, ainsi qu'une modélisation pour comprendre les mécanismes physiques à l'œuvre dans nos dispositifs.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF