Contribution à l'étude des performances et de la fiabilité des architectures MOS fabriquées en technologie silicium massif, silicium sur isolant et silicium germanium

L'apparition de substrat alternatifs SOI ou SiGe, en plus de la technologie " standard " intégrée sur silicium massif, introduit de nouveaux problèmes de caractérisation électrique ainsi que de nouveaux comportement de dégradation sous forte contrainte électrique statique. L'objectif de ce travail de recherche a été d'explorer les méthodes caractérisation électrique des dispositifs dans le cadre d'expériences de vieillissement. Apres un rappel des différentes méthodes de caractérisation électrique et des lois de vieillissement rencontrées, cette méthodologie sera appliquée à l'étude des performances et de la fiabilité des architectures SOI. La simulation électrique bidimensionnelle est largement utilisée avec une approche classique ou quantique permettant d'extraire les profils des paramètres relatifs à la dégradation : densité volumique de porteurs, champs électriques... Cet outil permet d'accéder de manière décorrélée à la localisation des flux de porteurs dans le cadre de dispositif à base d'alliage ou multi-couches. Le vieillissement des architectures SiGe est étudié suivant une approche classique des expérience de vieillissement, et caractérisé avec une nouvelle méthode d'effet Hall permettant d'accéder à la densité de porteurs de chacune des couches, méthode QMSA. L'ensemble de ces résultats sont comparés aux performances d'une architecture silicium massif utilisant un profil SSR.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF