Etude des potentialités des technologies CMOS-SOI partiellement désertées pour les applications radiofréquences

La première partie de ce manuscrit est une étude comparative entre les technologies CMOS-SOI et CMOS classiques dans le cadre des applications numériques haute vitesse et les applications analogiques et RF. La deuxième partie est consacrée à l'étude de trois fonctions RF : un amplificateur faible bruit (LNA), un mélangeur et un commutateur d'antenne, réalisés en technologies SOI 0,25æm et 0,12æm. Le LNA et le mélangeur, sont optimisés pour travailler à 5GHz. Pour le LNA, une méthodologie de conception visant la minimisation de la figure de bruit avec la prise en compte des pertes série dans les inductances est présenté. Dans le cas du mélangeur, l'accès au substrat local est exploité pour la mise au point d'une nouvelle achitecture fonctionnant sous très faible tension (1V). Les très bonnes performances mesurées pour le commutateur d'antenne montrent le grand potentiel du SOI en terme d'isolation substrat (53dB à 2,5 GHz) et de réduction des pertes (0,7 dB à 2,5 GHz).GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocGRENOBLE INP-Phelma (381852301) / SudocSudocFranceF