Les performances hyperfréquences des transistors MOS actuels permettent leur utilisation dans le domaine des ondes millimétriques.Cependant la conception des circuits se heurte au problème posé par les pertes des structures de transmission sur des substrats silicium standard. Dans ce contexte, il est nécessaire de développer des structures de propagation faibles pertes sur silicium. Nous présentons dans ce mémoire le développement d'une technologie 3D, pour réaliser des structures de transmission répondant à ces besoins. La comparaison des différentes structures de propagation développées dans cette étude montre que la technologie TFMS présente les meilleures performances en terme d'atténuation (0,2 dB/mm à 50 GHz), Ces lignes ont été utili...
La réduction d échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une altern...
Durant cette thèse, nous nous sommes intéressés à la fabrication de transistors en couches minces de...
Les demandes du marché sont toujours plus exigeantes dans le domaine de la micro- électronique. Les...
Durant ces dernières années, le développement des technologies Silicium a permis la montée en fréque...
Les transmissions sans fil n'ont cessé de prendre un essor considérable, que ce soit pour les applic...
Cette demière dècénnie a vu l'apparition des solutions CMOS SOI pour les applications RF intégrées à...
L explosion des besoins et des attentes des équipements de radio communication, à l exemple de la té...
Le premier objectif de cette thèse était d\u27étudier les performances en micro-ondes des MOSFET int...
L'évolution qui caractérise principalement le domaine de la microélectronique est la réduction des d...
L'objectif de cette étude est la réalisation en technologie monolithique intégrée de circuits hyperf...
L'objectif de cette étude est la réalisation en technologie monolithique intégrée de circuits hyperf...
L'objectif de cette étude est la réalisation en technologie monolithique intégrée de circuits hyperf...
L'objectif de cette étude est la réalisation en technologie monolithique intégrée de circuits hyperf...
Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont...
Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'a...
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