Ce travail est consacré à la mise au point, par des procédés de la microtechnologie de surface, d'une structure à effet de champ, de type transistor, capable de détecter des espèces chimiques ou biologiques en solution. La première partie de ce travail est dédiée à l'optimisation du procédé technologique de fabrication de transistors à effet de champ au silicium, à grille suspendue, fonctionnant dans une ambiance aqueuse. La deuxième partie est consacrée aux applications de cette structure dans le domaine chimique pour la mesure du pH de solutions et dans le domaine biologique pour la reconnaissance de l'ADN et la détection de protéines.RENNES1-BU Sciences Philo (352382102) / SudocSudocFranceF
L'introduction de contraintes dans le canal des transistors MOSFETs est aujourd'hui un élément incon...
La réduction d échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une altern...
Dans le contexte actuel de la microélectronique favorable à l'émergence de nouvelles architectures, ...
Pub. No.: WO/2014/037628 International Application No.: PCT/FR2012/051983 - Publication Date: 13.03....
La miniaturisation des transistors CMOS permet daméliorer les performances, la densité dintégration ...
L'évolution des transistors MOSFET a permis la réduction des dimensions jusqu'à des dispositifs de l...
Ce mémoire de maîtrise en génie électrique fait état de travaux de recherche appliquée en micro-élec...
Ce travail porte sur le développement d'un procédé de fabrication de transistor monoélectronique {si...
En technologie MOS sur silicium, les transistors de type "double grille" (DG) sont considérés comme ...
LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTO...
National audienceL’objectif de ces travaux de thèse est de réaliser des nanofils en silicium polycrs...
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L'objectif de la thèse est la conception d'une nouvelle technologie de biocapteurs basée sur l'utili...
Le développement des applications hyperfréquences futures (Internet haut débit, WI-FI, radioastronom...
L'introduction de contraintes dans le canal des transistors MOSFETs est aujourd'hui un élément incon...
La réduction d échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une altern...
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