Le développement des systèmes modernes requière la conception d'amplificateurs de puissances aux performances croissantes afin de répondre aux demandes toujours plus exigeantes du marché. Les matériaux à base de nitrure permettent d'améliorer les performances en puissance hyperfréquences de ces dispositifs. Les travaux réalisés dans ce mémoire portent sur l'étude des caractéristiques expérimentales et de la modélisation des transistors HEMT à base de GaN en vue de leur utilisation dans ces dispositifs. La première partie de ce travail situe la filière nitrure de gallium dans le contexte actuel du marché des hyperfréquences. Les paramètres de cette filière sont comparés aux filières usuelles et par rapport aux besoins des applications hyperf...
La vie dans la société contemporaine a changé énormément depuis l’invention du premier transistor él...
Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de gr...
La demande croissante de composants permettant d\u27opérer à de fortes puissances, à hautes fréquenc...
Les nouveaux systèmes de télécommunication nécessitent des bandes de fréquence de plus en plus large...
Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de transistors HEMTs de la ...
Ce mémoire a pour thème l'étude du bruit de fond aux basses fréquences des transistors micro-ondes d...
Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyper...
Les semiconducteurs basés sur les nitrures III - N à large bande interdite présentent un intérêt cro...
La filière GaN connaît actuellement un essor remarquable. En effet, les structures de transistors à ...
Ces travaux de recherche se rapportent à l étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l a...
Les HEMT à base de nitrure de gallium sont des composants très prometteurs en termes de performances...
Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium constituent une f...
Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium constituent une f...
L utilisation de matériaux grand gap, et tout particulièrement l emploi du nitrure de gallium est un...
Le développement de composants de puissance pour les applications hyperfréquence représente un formi...
La vie dans la société contemporaine a changé énormément depuis l’invention du premier transistor él...
Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de gr...
La demande croissante de composants permettant d\u27opérer à de fortes puissances, à hautes fréquenc...
Les nouveaux systèmes de télécommunication nécessitent des bandes de fréquence de plus en plus large...
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Ce mémoire a pour thème l'étude du bruit de fond aux basses fréquences des transistors micro-ondes d...
Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyper...
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La filière GaN connaît actuellement un essor remarquable. En effet, les structures de transistors à ...
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Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium constituent une f...
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Le développement de composants de puissance pour les applications hyperfréquence représente un formi...
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